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MJ2955G

MJ2955G ONSEMI

2N3055G_MJ2955G.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3; TO204
Current gain: 20...70
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2.5MHz
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25+3.65 EUR
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Technische Details MJ2955G ONSEMI

Description: TRANS PNP 60V 15A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 115 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJ2955G MJ2955G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ2955G MJ2955G Hersteller : onsemi 2n3055-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W PNP
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MJ2955G MJ2955G Hersteller : onsemi 2n3055-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
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MJ2955G MJ2955G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ2955G MJ2955G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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