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MJB44H11G Transistor

Produktcode: 58814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJB44H11G MJB44H11G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 6397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+1.56 EUR
100+1.32 EUR
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MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MJB44H11G MJB44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
113+2.06 EUR
118+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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MJB44H11G MJB44H11G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJB44H11G ON-Semiconductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MJB44H11G ON-Semiconductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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MJB44H11G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 6397 Stücke:
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MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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MJB44H11G ONSM-S-A0013299556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJB44H11G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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52+4.9 EUR
113+2.06 EUR
118+1.82 EUR
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MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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