MJD112 LGE
Hersteller: LGE
MJD112 Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE TMJD112 LGE
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Technische Details MJD112 LGE
Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD112 | ST |
 TO-252 |
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| MJD112 | |
Hersteller: ST
TO-252
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