MJD112 LGE
Hersteller: LGE
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.39 EUR |
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Technische Details MJD112 LGE
NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Група товару: Транзистори Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote MJD112
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MJD112 | Hersteller : ST | TO-252 |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJD112 | Hersteller : On Semiconductor |
 NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJD112 | Hersteller : ON Semiconductor | Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD112 | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |