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MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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Technische Details MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Weitere Produktangebote MJD112T4G nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 332500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
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MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.67 EUR
346+0.5 EUR
348+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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auf Bestellung 1119 Stücke:
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221+0.8 EUR
262+0.64 EUR
265+0.62 EUR
346+0.45 EUR
348+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.8 EUR
500+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 5357 Stücke:
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2+1.89 EUR
10+1.19 EUR
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2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 333269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD112T4G ON mjd112-d.pdf TO-252
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 332500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
265+0.67 EUR
346+0.5 EUR
348+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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262+0.64 EUR
265+0.62 EUR
346+0.45 EUR
348+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+0.8 EUR
500+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 5357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.19 EUR
100+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD112T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 333269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.95 EUR
18+1.23 EUR
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MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: ON
TO-252
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