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MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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344+0.5 EUR
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262+0.65 EUR
265+0.63 EUR
340+0.46 EUR
344+0.44 EUR
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 180834 Stücke:
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10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3819 Stücke:
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112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
272+0.79 EUR
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1000+0.76 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.54 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
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auf Bestellung 939 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
265+0.68 EUR
340+0.51 EUR
344+0.5 EUR
500+0.38 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+0.81 EUR
262+0.65 EUR
265+0.63 EUR
340+0.46 EUR
344+0.44 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD112T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 180834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3819 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
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MJD112T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4G*************
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