MJD117
Hersteller: MJD117 Микросхемы
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Technische Details MJD117
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.
Weitere Produktangebote MJD117
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MJD117 Produktcode: 99164 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: D-Pak fT: 25 MHz U, V: 100 U, V: 100 I, А: 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD117 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD117 | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |