Produkte > MJD

Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD1029
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD1029T4
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD1034T4
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD10N05E
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD11
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD1117
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112ON SemiconductorТранзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112LGEMJD112-LGE NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112STTO-252
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112On SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112 TO251 THTLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO251
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO251
Current gain: 200...12000
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 25MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
auf Bestellung 3718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.32 EUR
435+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112 TO252 SMD
Produktcode: 202522
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-001
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.2 EUR
253+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 143469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
100000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 636 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON Semiconductor
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 31883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 636 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
261+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 636 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.93 EUR
85+1.01 EUR
93+0.92 EUR
98+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
auf Bestellung 218178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
457+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 42150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
300+1.32 EUR
1050+1.01 EUR
2550+0.89 EUR
5025+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.73 EUR
243+0.68 EUR
525+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 636 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TPMCC Corp.NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112/117
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
158+0.54 EUR
172+0.5 EUR
192+0.44 EUR
207+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
324+0.51 EUR
327+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.8 EUR
75+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
259+0.89 EUR
293+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.74 EUR
525+0.44 EUR
2550+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GOn SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.54 EUR
327+0.52 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.6 EUR
294+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.71 EUR
290+0.57 EUR
293+0.55 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+0.8 EUR
150+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RL
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RL (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 20829
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+1 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.8 EUR
3600+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 14494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 4864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.8 EUR
1800+0.74 EUR
9000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
177+1.32 EUR
270+0.8 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.42 EUR
422+0.39 EUR
428+0.37 EUR
435+0.36 EUR
442+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.4 EUR
435+0.39 EUR
442+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 6139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
110+0.77 EUR
124+0.69 EUR
161+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 9758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26922
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.19 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 180835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GOn SemiconductorDPAK 4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 100V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.77 EUR
262+0.63 EUR
265+0.61 EUR
340+0.45 EUR
348+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
174+1.33 EUR
272+0.79 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.82 EUR
500+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.65 EUR
340+0.5 EUR
348+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFOn SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117ON SemiconductorТранзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117
Produktcode: 99164
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
Grenzfrequenz fT, MHz: 25 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.27 EUR
10+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117MJD117 Микросхемы
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Nächste Seite >> ]