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Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

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MJD112

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD112

TO-252

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MJD112

TO-252

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MJD112

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1525 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

225+	0.32 EUR
375+	0.19 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 225

MJD112 TO252 SMD

auf Bestellung 1525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

225+	0.32 EUR
375+	0.19 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 225

MJD112-001

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD112-001

auf Bestellung 6325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

174+	0.9 EUR
226+	0.67 EUR
1050+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 174

MJD112-1G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
89+	0.81 EUR
94+	0.77 EUR
300+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD112-1G

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
89+	0.81 EUR
94+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 74775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 677 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
75+	1.99 EUR
150+	1.57 EUR
525+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 74775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.69 EUR
1050+	0.6 EUR
2475+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 226

MJD112-1G

auf Bestellung 65 Stücke:

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MJD112-1G

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 74775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

226+	0.69 EUR
1050+	0.6 EUR
2475+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 226

MJD112-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.1 EUR
26+	2 EUR
75+	1.2 EUR
1050+	1.03 EUR
2475+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

166+	0.94 EUR
174+	0.87 EUR
226+	0.64 EUR
1050+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 166

MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK

auf Bestellung 507 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

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MJD112/117

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	0.43 EUR
525+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 367

MJD112G

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 2297 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.56 EUR
75+	1.28 EUR
150+	0.93 EUR
525+	0.78 EUR
1050+	0.66 EUR
2025+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	0.43 EUR
525+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 367

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

71+	1.02 EUR
105+	0.69 EUR
119+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 71

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	0.83 EUR
354+	0.43 EUR
525+	0.34 EUR
1050+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 188

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

163+	0.96 EUR
188+	0.8 EUR
354+	0.41 EUR
525+	0.33 EUR
1050+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 163

MJD112G

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	1.02 EUR
105+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 71

MJD112G

транзистор npn DPAK

auf Bestellung 2430 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

MJD112G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 12335 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
37+	1.42 EUR
75+	0.81 EUR
525+	0.74 EUR
1050+	0.58 EUR
4950+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 35

MJD112RL

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112RL

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112RL (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20829

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1800+	1.06 EUR
3600+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112RLG

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 14948 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.42 EUR
27+	1.99 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
1800+	1.01 EUR
3600+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 22

MJD112RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5143 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
14+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD112T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 4505 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR
5000+	0.52 EUR
10000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 36

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 3358 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.25 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.5 EUR
10000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2592 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

162+	0.44 EUR
181+	0.4 EUR
235+	0.3 EUR
248+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 162

MJD112T4

auf Bestellung 2592 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

162+	0.44 EUR
181+	0.4 EUR
235+	0.3 EUR
248+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 162

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.5 EUR
10000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4

Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	1.67 EUR
10+	1.6 EUR

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26922

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MJD112T4G

09+

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4G

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112T4G

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MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 9855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD112T4G

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4800 Stücke:

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197+	0.8 EUR
267+	0.57 EUR
273+	0.53 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 197

MJD112T4G

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD112T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 24033 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
39+	1.36 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.6 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 33

MJD112T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

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MJD112T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 8 Stücke:

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1+	22.32 EUR
10+	20.09 EUR

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 9855 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	0.98 EUR
185+	0.82 EUR
197+	0.74 EUR
267+	0.52 EUR
273+	0.49 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 160

MJD112T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

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MJD112TF

Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington

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MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

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MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117

MJD117 Микросхемы

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117
Produktcode: 99164

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
fT: 25 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

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MJD117

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

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MJD117-001

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD117-1G

09+ TQFP

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117-1G

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.21 EUR
27+	1.95 EUR
75+	1.52 EUR
525+	1.18 EUR
1050+	0.86 EUR
2400+	0.83 EUR
4800+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD117-1G

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117-1G

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117-1G

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117-1G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 164661 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1113+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1113

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

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MJD117-HF

Comchip Technology

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A

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MJD117-HF

Comchip Technology

Description: TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117-TP

Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD117-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117G
Produktcode: 79758

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

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MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117G

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2203 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
75+	1.64 EUR
150+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD117G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 1985 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
27+	1.96 EUR
75+	1.31 EUR
525+	1.13 EUR
1050+	0.9 EUR
2400+	0.85 EUR
4800+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 26

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 134 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117RLG

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz

auf Bestellung 4098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	0.5 EUR
159+	0.45 EUR
205+	0.35 EUR
216+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 145

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 1528 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.67 EUR
36+	1.47 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.64 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 32

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2104 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.69 EUR
18+	1.46 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4

auf Bestellung 4098 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

145+	0.5 EUR
159+	0.45 EUR
205+	0.35 EUR
216+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 145

MJD117T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: DARLINGT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 13758 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.95 EUR
16+	1.69 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 14

MJD117T4G

MJD117T4G Диоды

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1773 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.74 EUR
5000+	0.7 EUR
12500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 18975 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.96 EUR
31+	1.7 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 27

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1773 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117T4G*********

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117TF

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117TF

Darlington Transistors PNP Silicon Darl

auf Bestellung 18518 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD117TF

Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24798 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 307 Stücke:

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175+	0.9 EUR
210+	0.72 EUR
211+	0.69 EUR
213+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 175

MJD117TF-FS

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD122

YFW

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2000 Stücke:

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100+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 100

MJD122 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23955

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MJD122 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

260+	0.28 EUR
350+	0.21 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 260

MJD122 TO252 SMD

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.28 EUR
350+	0.21 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 260

MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912

IC > IC andere

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122-1

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122-1

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.34 EUR
75+	1.87 EUR
150+	1.48 EUR
525+	1.25 EUR
1050+	1.02 EUR
2025+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1

Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

auf Bestellung 4937 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.3 EUR
24+	2.18 EUR
75+	1.45 EUR
525+	1.25 EUR
1050+	0.97 EUR
5025+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD122-1G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1G

Darlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 53901 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2 EUR
15+	1.73 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

auf Bestellung 18323 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.01 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.74 EUR
5000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 26

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.76 EUR
5000+	0.72 EUR
12500+	0.67 EUR
25000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD122-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122/127

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	0.93 EUR
197+	0.77 EUR
525+	0.69 EUR
1050+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 169

MJD122G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3.65 EUR
10+	3.35 EUR

MJD122G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz

auf Bestellung 231 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.1 EUR
73+	0.99 EUR
95+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	1.24 EUR
169+	0.89 EUR
197+	0.74 EUR
525+	0.66 EUR
1050+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 127

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 11517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 1658 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.17 EUR
75+	1.44 EUR
525+	1.28 EUR
1050+	1.03 EUR
2700+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 8025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1650+	0.59 EUR
2700+	0.57 EUR
5400+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 1650

MJD122G
Produktcode: 165785

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122G

auf Bestellung 231 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.1 EUR
73+	0.99 EUR
95+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR
750+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 65

MJD122G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
75+	2.04 EUR
150+	1.62 EUR
525+	1.37 EUR
1050+	1.12 EUR
2025+	1.05 EUR
5025+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 11508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	0.86 EUR
207+	0.73 EUR
525+	0.66 EUR
1050+	0.54 EUR
2700+	0.51 EUR
5400+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 182

MJD122G

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
DC-Kollektorstrom: 8A
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Verlustleistung Pd: 1.75W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1851 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122G

ON-Semicoductor

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 11517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

145+	1.08 EUR
182+	0.83 EUR
207+	0.7 EUR
525+	0.64 EUR
1050+	0.51 EUR
2700+	0.49 EUR
5400+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 145

MJD122G

On Semiconductor

NPN Darl. DPAK

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122GT4G

BIP

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122RLG

Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 677-691 Tag (e)

29+	1.79 EUR
33+	1.58 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD122RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2040 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.92 EUR
16+	1.67 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 14

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2744 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

66+	1.09 EUR
74+	0.98 EUR
76+	0.95 EUR
92+	0.78 EUR
203+	0.35 EUR
214+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 66

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

188+	0.83 EUR
206+	0.73 EUR
263+	0.55 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 188

MJD122T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 18700 Stücke:

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27+	1.93 EUR
31+	1.68 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 27

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2187 Stücke:

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

auf Bestellung 2744 Stücke:

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66+	1.09 EUR
74+	0.98 EUR
76+	0.95 EUR
92+	0.78 EUR
203+	0.35 EUR
214+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 66

MJD122T4

STMicroelectronics NV

NPN Darl. DPAK

auf Bestellung 348 Stücke:

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1994 Stücke:

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1994+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1994

MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington

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MJD122T4G

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
26+	2 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.99 EUR
2500+	0.87 EUR
5000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 13569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
14+	1.96 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD122T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 2 Stücke:

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1+	5.58 EUR
10+	4.46 EUR

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 13569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122T4G*************

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF
Produktcode: 101877

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD122TF

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

auf Bestellung 6389 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD122TF

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127

LGE

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 100

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127

YFW

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.09 EUR
28+	0.94 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD127 TO252 SMD

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 2485 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.29 EUR
350+	0.21 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 245

MJD127 TO252 SMD

auf Bestellung 2485 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

245+	0.29 EUR
350+	0.21 EUR
430+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 245

MJD127-1

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127-LGE
Produktcode: 161555

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MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK

auf Bestellung 6883 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.86 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD127-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127G

Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3.65 EUR
10+	3.35 EUR

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.39 EUR
121+	1.25 EUR
171+	0.85 EUR
525+	0.73 EUR
1050+	0.57 EUR
2700+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 113

MJD127G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 63

MJD127G

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
DC-Kollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Verlustleistung Pd: 1.75W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

auf Bestellung 384 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.3 EUR
171+	0.88 EUR
525+	0.76 EUR
1050+	0.59 EUR
2700+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 121

MJD127G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 5464 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.68 EUR
21+	2.54 EUR
75+	1.42 EUR
525+	1.28 EUR
1050+	1.07 EUR
2700+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 20

MJD127G

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	1.14 EUR
69+	1.05 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 63

MJD127G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 4871 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.65 EUR
75+	2.14 EUR
150+	1.7 EUR
525+	1.44 EUR
1050+	1.17 EUR
2025+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 10

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127G
Produktcode: 50655

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127RLG

Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 442-456 Tag (e)

25+	2.08 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD127RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127S-TP

Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127S-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2309 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 155000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.44 EUR
10000+	0.39 EUR
25000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2088 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

146+	0.49 EUR
167+	0.43 EUR
243+	0.29 EUR
257+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 146

MJD127T4

auf Bestellung 2088 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.49 EUR
167+	0.43 EUR
243+	0.29 EUR
257+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 146

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR
10000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 3787 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.59 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD127T4
Produktcode: 180295

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MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2309 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Description: TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 155000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.44 EUR
10000+	0.39 EUR
25000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR
10000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 155000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4G
Produktcode: 180192

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MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.7 EUR
5000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD127T4G

Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	4.46 EUR
10+	3.92 EUR

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127T4G

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MJD127T4G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 5532 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
17+	1.6 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 28405 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.79 EUR
2500+	0.72 EUR
5000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD127T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD127TF

Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington

auf Bestellung 7163 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127Т4
Produktcode: 26825

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MJD128

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD128T4

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD128T4

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128T4G

Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR

auf Bestellung 4396 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
32+	1.63 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.98 EUR
5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD128T4G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD128T4G

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD128T4G

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 3053 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
14+	1.95 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD13003

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13003A

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13003C

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13005

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD13005T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD148

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 2119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
28+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148-QJ

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2282 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
54+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.36 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 46

MJD148-QJ

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 6096 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
26+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD148J

Bipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2220 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
53+	1 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.38 EUR
10000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 45

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 282493 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
18+	1.53 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 280000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.64 EUR
12500+	0.59 EUR
25000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD148T4G

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD148T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN

auf Bestellung 6606 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.79 EUR
34+	1.54 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR
2500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 30

MJD148T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

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MJD18002D2

auf Bestellung 18000 Stücke:

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MJD18002D2T4

auf Bestellung 1000 Stücke:

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MJD18002D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD18002D2T4G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

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MJD18004D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD20

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD200

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

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MJD200-001

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200-1

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 799 Stücke:

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144+	1.09 EUR
163+	0.93 EUR
212+	0.69 EUR
500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 144

MJD200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 7909 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

54+	0.97 EUR
56+	0.94 EUR
81+	0.64 EUR
525+	0.59 EUR
1050+	0.54 EUR
2700+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 54

MJD200G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 3701 Stücke:

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15+	1.85 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.79 EUR
2000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD200G

07+;

auf Bestellung 215 Stücke:

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MJD200RLG

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 194 Stücke:

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30+	1.73 EUR
35+	1.53 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.74 EUR
1800+	0.67 EUR
3600+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 30

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD200RLG

TO252

auf Bestellung 118 Stücke:

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MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1202+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1202

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD200T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

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MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200T4G

08+ QFP

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G
Produktcode: 132801

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 4601 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.38 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD200T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 6168 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.23 EUR
52+	1 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.47 EUR
10000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 43

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD200T4G

auf Bestellung 6030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD200T5G

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

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MJD200T5G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD2055T4

auf Bestellung 6200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

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MJD210

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210

FSC

0832+ LQFP48

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

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MJD210

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210-1

auf Bestellung 2072 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210-TF

SAMSUNG

SOT-252

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.64 EUR
19+	1.44 EUR
100+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD210G

MJD210G PNP SMD Darlington transistors

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

32+	2.23 EUR
41+	1.74 EUR
112+	0.64 EUR
300+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 32

MJD210G

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.64 EUR
37+	1.44 EUR
75+	1.1 EUR
525+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 32

MJD210G
Produktcode: 62981

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MJD210LT4

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210LT4

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210LTO-251

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210LTO-252T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210RL

MOT

auf Bestellung 1550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

auf Bestellung 15900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1603+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1603

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

159+	0.98 EUR
184+	0.82 EUR
191+	0.76 EUR
245+	0.57 EUR
250+	0.54 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 159

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.74 EUR
18+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD210RLG

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD210RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 1573 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.66 EUR
36+	1.46 EUR
100+	1.14 EUR
250+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 32

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

802+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 802

MJD210T4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4

Description: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD210T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4/J210

auf Bestellung 13700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4G

07+;

auf Bestellung 9675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 66981 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.38 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD210T4G
Produktcode: 132802

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 11993 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.77 EUR
35+	1.51 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 30

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 65000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.52 EUR
12500+	0.48 EUR
25000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210T4G*************

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

auf Bestellung 1145 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

auf Bestellung 3014 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD210TF

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR

auf Bestellung 14921 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1110+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

MJD210TM

MJD210TM^FAIRCHILD

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MJD243
Produktcode: 20318

IC > IC andere
8542 39 90 00

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 6458 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
15+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
2000+	0.9 EUR
5000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1807 Stücke:

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123+	1.28 EUR
181+	0.83 EUR
183+	0.79 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 123

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 7305 Stücke:

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24+	2.2 EUR
29+	1.81 EUR
75+	1.41 EUR
525+	1.19 EUR
1050+	0.97 EUR
2550+	0.92 EUR
4950+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	0.55 EUR
2550+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 286

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1275 Stücke:

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MJD243G

Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1066 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243G
Produktcode: 133000

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1650+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1650

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1807 Stücke:

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181+	0.86 EUR
183+	0.82 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 181

MJD243T4

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243T4

Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD243T4G

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4598 Stücke:

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143+	1.1 EUR
162+	0.93 EUR
165+	0.88 EUR
216+	0.65 EUR
250+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 143

MJD243T4G
Produktcode: 172041

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MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD243T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 13839 Stücke:

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30+	1.74 EUR
35+	1.51 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 30

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2544 Stücke:

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4598 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.95 EUR
216+	0.7 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.34 EUR
3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 165

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 2906 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
17+	1.54 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2544 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD243T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2474T4

auf Bestellung 3090 Stücke:

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MJD253

onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F

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MJD253
Produktcode: 20319

IC > IC andere
8542 39 90 00

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MJD253

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD253-001

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253-001

auf Bestellung 2913 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD253-1G

auf Bestellung 464 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.77 EUR
17+	1.54 EUR
100+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD253-1G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253-1G
Produktcode: 133001

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MJD253-1G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 1068 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

34+	1.55 EUR
40+	1.32 EUR
75+	1.02 EUR
1050+	0.79 EUR
2550+	0.55 EUR
11550+	0.48 EUR
26400+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 34

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4

Description: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR
5000+	0.24 EUR
12500+	0.23 EUR
25000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD253T4G

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD253T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 43208 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
63+	0.84 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
2500+	0.41 EUR
10000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 56

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

408+	0.38 EUR
462+	0.33 EUR
467+	0.31 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 408

MJD253T4G

auf Bestellung 4470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 11667 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

398+	0.39 EUR
404+	0.37 EUR
408+	0.36 EUR
462+	0.3 EUR
467+	0.29 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 398

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G
Produktcode: 172039

Produkt ist nicht verfügbar

MJD253T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.39 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2873-QJ

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873-QJ

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD2873-Q/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2618 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

43+	1.22 EUR
51+	1.03 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 43

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 9557 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 1124 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.91 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD2873J

Bipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK

auf Bestellung 6745 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.1 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 48

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	1 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 23

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.39 EUR
12500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2873Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2271 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.37 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 47

MJD2955

Bipolar Transistors - Pre-Biased

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MJD2955

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD2955

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

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MJD2955

Bipolar Transistors - BJT

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MJD2955

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955-001

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 6300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2219+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

MJD2955-001

Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955-001

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MJD2955-1G

auf Bestellung 4080 Stücke:

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MJD2955-1G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD2955-1G

auf Bestellung 42025 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

888+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 888

MJD2955-1G

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MJD2955-1G

Description: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 42025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955-T4

09+

auf Bestellung 2477 Stücke:

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1725+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1725

MJD2955G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

74+	0.97 EUR
88+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR
2025+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 74

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.72 EUR
267+	0.57 EUR
275+	0.53 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 217

MJD2955G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 225 Stücke:

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27+	1.96 EUR
30+	1.78 EUR
75+	1.28 EUR
525+	1.02 EUR
1050+	0.88 EUR
1950+	0.81 EUR
5850+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 27

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

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202+	0.77 EUR
375+	0.68 EUR
750+	0.61 EUR
1125+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 202

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1975 Stücke:

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126+	1.25 EUR
193+	0.78 EUR
204+	0.71 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 126

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1975 Stücke:

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193+	0.81 EUR
204+	0.74 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 193

MJD2955G

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12+	2.26 EUR
75+	1.87 EUR
150+	1.36 EUR
525+	1.14 EUR
1050+	0.97 EUR
2025+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 12

MJD2955G

auf Bestellung 200 Stücke:

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74+	0.97 EUR
88+	0.82 EUR
93+	0.78 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 74

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955RLG

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V

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MJD2955T4

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT

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MJD2955T4

Trans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 7230 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

32+	1.67 EUR
36+	1.45 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.64 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 32

MJD2955T4G

SOP8

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955T4G

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 6441 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
19+	1.44 EUR
100+	1 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD2955T4G

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.41 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 172473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955T4G

auf Bestellung 109930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD2955T4G

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.63 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1025+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD2955TF

Description: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 460746 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 460746 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1025+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD2955TF

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MJD2955TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

auf Bestellung 5535 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD2955VT4

auf Bestellung 6210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD29C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD29C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD29CTF

Description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

MJD29CTF

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD3055

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD3055

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055

N/A

auf Bestellung 1721 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055G

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD3055G

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MJD3055G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055RLG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055RLG

BIP DPAK NPN 10A 60V TR

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MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V

auf Bestellung 8033 Stücke:

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28+	1.86 EUR
32+	1.64 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR
1800+	0.69 EUR
3600+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 28

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 1775 Stücke:

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14+	1.87 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 14

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Description: TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

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MJD3055T4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 4137 Stücke:

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18+	2.91 EUR
23+	2.36 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.3 EUR
2500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 18

MJD3055T4 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 171011

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MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067

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MJD3055T4G

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2500+	0.71 EUR
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MJD3055T4G

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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28+	1.86 EUR
32+	1.66 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 28

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 359 Stücke:

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

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14+	1.87 EUR
16+	1.63 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 14

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 359 Stücke:

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MJD3055T4G*************

auf Bestellung 7500 Stücke:

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 9881 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

auf Bestellung 38000 Stücke:

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

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MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD30CTF

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

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MJD31

auf Bestellung 50000 Stücke:

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MJD31B

auf Bestellung 30000 Stücke:

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MJD31BT4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31BT4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

YZPST

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 75

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

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MJD31C

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

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MJD31C-13

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

252+	0.62 EUR
292+	0.52 EUR
294+	0.49 EUR
403+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 252

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
5000+	0.36 EUR
12500+	0.34 EUR
25000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.16 EUR
5000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

auf Bestellung 2684 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
54+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 46

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

294+	0.53 EUR
403+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 294

MJD31C-13

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 36407 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
27+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.16 EUR
5000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31C-ITU

auf Bestellung 20150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31C-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

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MJD31C-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

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MJD31C-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31C1

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD31C1G

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MJD31C1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

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MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK

auf Bestellung 61771 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
57+	0.91 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 53

MJD31CAJ

Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1537 Stücke:

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MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CAJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

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MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5699 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

MJD31CAJ

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MJD31CEITU

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 3857 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

952+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 952

MJD31CEITU

Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2857 Stücke:

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MJD31CETF

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CETF

Description: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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MJD31CG

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A

auf Bestellung 4212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31CG

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	0.95 EUR
85+	0.84 EUR
110+	0.65 EUR
116+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	1.1 EUR
206+	0.73 EUR
525+	0.59 EUR
1050+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 142

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CG

auf Bestellung 387 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

76+	0.95 EUR
85+	0.84 EUR
110+	0.65 EUR
116+	0.62 EUR
750+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 76

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
75+	1.68 EUR
150+	1.33 EUR
525+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.15 EUR
142+	1.06 EUR
205+	0.71 EUR
525+	0.57 EUR
1050+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 136

MJD31CG
Produktcode: 117657

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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MJD31CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 8456 Stücke:

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28+	1.88 EUR
31+	1.69 EUR
75+	1.16 EUR
525+	0.97 EUR
1050+	0.92 EUR
2550+	0.87 EUR
3375+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 28

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31CH-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W

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MJD31CH-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

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MJD31CH-13

Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

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MJD31CH-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CH-Q/SOT428/DPAK

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MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1670 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.06 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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MJD31CH-QJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4845 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2 EUR
15+	1.73 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31CHE3-TP

MJD31CHE3-TP

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MJD31CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

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MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR
12500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CHQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.1 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.43 EUR
10000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 41

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14674 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 60438 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1480+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

MJD31CITU

Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60438 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CITU

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 8539 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

27+	0.99 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 27

MJD31CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 40

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 14161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.62 EUR
302+	0.5 EUR
560+	0.26 EUR
1000+	0.2 EUR
2500+	0.16 EUR
10000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 253

MJD31CJ

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 14161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

302+	0.52 EUR
560+	0.27 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.17 EUR
10000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 302

MJD31CJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

242+	0.65 EUR
243+	0.62 EUR
244+	0.6 EUR
245+	0.57 EUR
246+	0.55 EUR
250+	0.52 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 242

MJD31CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK

auf Bestellung 10976 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
62+	0.84 EUR
114+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR
2500+	0.31 EUR
10000+	0.3 EUR
25000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 53

MJD31CJ

auf Bestellung 3049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.64 EUR
246+	0.61 EUR
250+	0.59 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 245

MJD31CQ-13

Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2348 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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2500+	0.32 EUR

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MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12846 Stücke:

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18+	1.46 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

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MJD31CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

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36+	1.47 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
2500+	0.51 EUR

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MJD31CQ-13

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MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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MJD31CRL

SOT252/2.5

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MJD31CRL

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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13+	2.08 EUR
16+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
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MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 12600 Stücke:

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1800+	0.92 EUR
3600+	0.87 EUR
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9000+	0.79 EUR

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

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1000+	0.95 EUR
1800+	0.89 EUR

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MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

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MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

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MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

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MJD31CS-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK

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MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

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24+	2.23 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.95 EUR
2500+	0.82 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 24

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

STMicroelectronics NV

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.23 EUR
5000+	0.22 EUR
10000+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 12005 Stücke:

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12+	2.21 EUR
14+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.94 EUR

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

auf Bestellung 1901 Stücke:

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200+	0.36 EUR
223+	0.32 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 200

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.84 EUR
5000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

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2500+	0.23 EUR
5000+	0.22 EUR
10000+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4

auf Bestellung 1901 Stücke:

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200+	0.36 EUR
223+	0.32 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 200

MJD31CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3749 Stücke:

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MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4

Description: TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 3017 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

MJD31CT4-A

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

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MJD31CT4-A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.64 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

auf Bestellung 4378 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.37 EUR
27+	1.96 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 22

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.64 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 12566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3576 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	0.91 EUR
202+	0.75 EUR
439+	0.33 EUR
443+	0.32 EUR
448+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 172

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 1205 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD31CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 1225 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
42+	1.24 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 36

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3576 Stücke:

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439+	0.36 EUR
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1000+	0.27 EUR
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MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Darl. NPN 3A 100V 1.55W MJD31CRLG(T&R), MJD31CT4G(T&R), MJD31CG(Tube) MJD31CG ONS TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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50+	0.76 EUR

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MJD31CT4G

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

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MJD31CT4GMJD32CG

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CTF

auf Bestellung 30000 Stücke:

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MJD31CTF

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CTF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD31CTF-FS

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CTF_NBDD001

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CTF_SBDD001A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.59 EUR
19+	1.38 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD31CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 1695 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
38+	1.39 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 33

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 92500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31G

Bipolar Transistors - BJT

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MJD31T4

Description: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1401+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

MJD31T4

Description: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD31T4

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4/J31

auf Bestellung 33050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 3749 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
16+	1.7 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31T4G

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1249+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1249

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD31T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN

auf Bestellung 5727 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.08 EUR
31+	1.72 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 25

MJD32

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR

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MJD32B

TO-252

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32BT4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32BT4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C
Produktcode: 191777

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

MOT

SOT252/2.5

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
22+	1.21 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD32C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
43+	1.23 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.44 EUR
10000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 36

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 277500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.79 EUR
17+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32C-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.59 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.69 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD32C/J32C

MOTO

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C1

auf Bestellung 17070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32C1

Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32C1

Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1401+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1401

MJD32CA

Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CA

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CAJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11498 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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MJD32CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK

auf Bestellung 6565 Stücke:

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53+	0.99 EUR
61+	0.87 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
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2500+	0.37 EUR
10000+	0.35 EUR

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MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR

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MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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MJD32CAJ
Produktcode: 191470

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MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1298 Stücke:

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211+	0.74 EUR

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MJD32CG

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 98 Stücke:

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98+	0.73 EUR
1200+	0.45 EUR

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MJD32CG

auf Bestellung 98 Stücke:

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98+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 98

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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139+	1.13 EUR
150+	1.01 EUR
236+	0.62 EUR
525+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 139

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 595 Stücke:

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150+	1.05 EUR
236+	0.64 EUR
525+	0.53 EUR

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MJD32CG
Produktcode: 117659

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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MJD32CG

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 3MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3A

auf Bestellung 36 Stücke:

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MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1311 Stücke:

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MJD32CG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 18554 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
75+	1.5 EUR
150+	1.09 EUR
525+	0.91 EUR
1050+	0.78 EUR
2025+	0.69 EUR
5025+	0.66 EUR
10050+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 15

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1311 Stücke:

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127+	1.23 EUR
138+	1.1 EUR
214+	0.68 EUR
525+	0.56 EUR
1050+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 127

MJD32CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 5944 Stücke:

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30+	1.79 EUR
31+	1.72 EUR
75+	1.06 EUR
525+	0.91 EUR
1050+	0.7 EUR
2550+	0.69 EUR
5025+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 30

MJD32CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT

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MJD32CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK

auf Bestellung 9795 Stücke:

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52+	1.02 EUR
61+	0.86 EUR
112+	0.47 EUR
1000+	0.36 EUR
2500+	0.29 EUR
25000+	0.27 EUR

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MJD32CJ

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3747 Stücke:

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MJD32CJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

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MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

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40+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 40

MJD32CJ

auf Bestellung 3747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 4703 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

26+	1.01 EUR
31+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	0.51 EUR
336+	0.45 EUR
413+	0.35 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 306

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2314 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 18

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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MJD32CQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.3 EUR
12500+	0.28 EUR
25000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

423+	0.37 EUR
479+	0.31 EUR
484+	0.3 EUR
599+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 423

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.29 EUR
12500+	0.27 EUR
25000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 2108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 52

MJD32CQ-13

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 285000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

397+	0.39 EUR
419+	0.36 EUR
423+	0.34 EUR
479+	0.29 EUR
484+	0.28 EUR
599+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 397

MJD32CR

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32CRL

MOTOROLA

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32CRL

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD32CRLG

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

235+	0.67 EUR
238+	0.64 EUR
240+	0.61 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 235

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 2991 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
32+	1.64 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.06 EUR
1800+	0.91 EUR
3600+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 26

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 1810 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.69 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 13

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

233+	0.67 EUR
235+	0.64 EUR
238+	0.61 EUR
240+	0.58 EUR
250+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 233

MJD32CT4
Produktcode: 113107

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MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 9998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR
96+	0.75 EUR
116+	0.62 EUR
304+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 88

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.28 EUR
25000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 62510 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4

auf Bestellung 9998 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

88+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR
96+	0.75 EUR
116+	0.62 EUR
304+	0.24 EUR
321+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 88

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

auf Bestellung 8217 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.72 EUR
36+	1.47 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 31

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.28 EUR
25000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 4805 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 17

MJD32CT4-A

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS

auf Bestellung 12126 Stücke:

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34+	1.55 EUR
39+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.57 EUR

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 9880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

463+	0.34 EUR
466+	0.32 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 463

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4-A
Produktcode: 132425

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4-A

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MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 3973 Stücke:

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36+	1.45 EUR
48+	1.1 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 36

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

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2500+	0.35 EUR
5000+	0.32 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 13610 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.43 EUR
21+	1.25 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.62 EUR

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MJD32CT4G

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MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.55 EUR
5000+	0.52 EUR
12500+	0.48 EUR

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MJD32CT4G

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MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

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2500+	0.34 EUR
5000+	0.32 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 27500 Stücke:

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MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CTF

Description: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1833 Stücke:

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MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD32CTF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

auf Bestellung 1297 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF-ON

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTF_NBDD002

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD32CTF_SBDD002

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

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MJD32CTM

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32CTM

Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19934 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.16 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 19

MJD32CUQ-13

Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.44 EUR
12500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32CUQ-13

auf Bestellung 1999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD32CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 2627 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.49 EUR
10000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 38

MJD32G

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32RL

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD32RLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

auf Bestellung 1817 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.81 EUR
34+	1.57 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.83 EUR
1800+	0.63 EUR
9000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 29

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1800+	0.8 EUR
3600+	0.72 EUR
5400+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 30600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1249+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1249

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

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1800+	1.57 EUR

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MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

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16+	1.64 EUR
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MJD32T4

Description: TRANS POWER PNP 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 12091 Stücke:

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1519+	0.52 EUR

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MJD32T4

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MJD32T4

Description: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32T4G

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2500+	0.98 EUR
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MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

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27+	1.93 EUR
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MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32T4G

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13+	2.06 EUR
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500+	1.32 EUR
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MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD340

TO-252

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MJD340

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

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MJD340

07+ TO-252

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MJD340

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

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MJD340

auf Bestellung 4000 Stücke:

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MJD340

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD340

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MJD340 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 51390

Fairchild

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,5
h21: 240

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD340-13

Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.25 EUR
5000+	0.23 EUR
10000+	0.22 EUR
12500+	0.21 EUR
25000+	0.2 EUR

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD340-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD340-13

Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD340-13

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

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2500+	0.25 EUR
5000+	0.23 EUR
10000+	0.22 EUR
12500+	0.21 EUR
25000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

MJD340-13

Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT

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37+	1.43 EUR
43+	1.23 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.54 EUR
2500+	0.44 EUR
10000+	0.43 EUR

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MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD340D4

auf Bestellung 100 Stücke:

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MJD340G

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 4501 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.69 EUR
75+	1.4 EUR
150+	1.01 EUR
525+	0.85 EUR
1050+	0.72 EUR
2025+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 16

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 449 Stücke:

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MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 260

MJD340G

ON-Semicoductor

NPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 50

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD340G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

auf Bestellung 39234 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.33 EUR
41+	1.29 EUR
75+	0.8 EUR
525+	0.74 EUR
1050+	0.63 EUR
2700+	0.6 EUR
5400+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 40

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 96 Stücke:

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MJD340G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz

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MJD340G

Description: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9301 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

MJD340G

Produkt ist nicht verfügbar

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

251+	0.62 EUR
260+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 251

MJD340Q-13

MJD340Q-13

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MJD340RL

auf Bestellung 933 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

MJD340RLG

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD340RLG

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1800+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

MJD340RLG

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

MJD340RLG