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MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
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MJD1029
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MJD1029T4
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MJD1034T4
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MJD10N05E
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MJD11
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MJD1117
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MJD112STTO-252
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MJD112On SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
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MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJD112ON SemiconductorТранзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
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MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
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MJD112 TO251 THTLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO251
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO251
Current gain: 200...12000
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 25MHz
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MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 4468 Stücke:
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265+0.27 EUR
435+0.17 EUR
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MJD112 TO252 SMD
Produktcode: 202522
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD112-001
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MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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MJD112-1GON Semiconductor
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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261+0.55 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.68 EUR
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MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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82+1.78 EUR
263+0.54 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.68 EUR
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MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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2+2.43 EUR
10+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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161+0.9 EUR
300+0.77 EUR
1050+0.66 EUR
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MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3845 Stücke:
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8+2.39 EUR
75+1.06 EUR
150+0.95 EUR
525+0.79 EUR
1050+0.72 EUR
2025+0.67 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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217+0.67 EUR
222+0.63 EUR
525+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 217
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 636
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MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 150169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
636+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
10000+0.68 EUR
100000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 636
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MJD112-LGELGENPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
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MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
auf Bestellung 507 Stücke:
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MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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MJD112-TPMCC Corp.NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
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MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD112-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD112/117
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.18 EUR
243+0.57 EUR
310+0.43 EUR
525+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.43 EUR
224+0.62 EUR
293+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 102
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.6 EUR
310+0.46 EUR
525+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
112+0.64 EUR
151+0.47 EUR
211+0.34 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GOn SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.86 EUR
525+0.65 EUR
2550+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 169
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MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+0.67 EUR
75+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
75+0.66 EUR
150+0.59 EUR
525+0.48 EUR
1050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 225
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MJD112RL
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD112RL (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20829
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD112RLGONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 649
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MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 10921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.3 EUR
100+0.94 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
1800+0.62 EUR
9000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.5 EUR
12+1.58 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD112RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.66 EUR
3600+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5000
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MJD112T4STMNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.28 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.34 EUR
435+0.33 EUR
442+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 428
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MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
105+0.69 EUR
169+0.42 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.35 EUR
422+0.33 EUR
428+0.31 EUR
435+0.3 EUR
442+0.28 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 415
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MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 7834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26922
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 332500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.65 EUR
262+0.53 EUR
265+0.51 EUR
346+0.37 EUR
348+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 5357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+1 EUR
100+0.59 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112T4GOn SemiconductorDPAK 4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 100V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.65 EUR
500+0.36 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.55 EUR
346+0.41 EUR
348+0.4 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 333269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.64 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFOn SemiconductorNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD117) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117
Produktcode: 99164
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
fT: 25 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.23 EUR
10+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117MJD117 Микросхемы
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117ON SemiconductorТранзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 80391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1198+0.45 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 153995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+1.32 EUR
75+1.03 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.58 EUR
2400+0.56 EUR
4800+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 48038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1198+0.45 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 128429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
795+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 795
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
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MJD117-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD117-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.79 EUR
186+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 182
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1785 Stücke:
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2+2.11 EUR
10+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJD117G
Produktcode: 79758
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
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1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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88+1.65 EUR
191+0.75 EUR
195+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 88
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MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
184+0.76 EUR
187+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD117RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 5429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.28 EUR
12500+0.27 EUR
25000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD117T4STMPNP Darl. DPAK Транзистори
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MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
98+0.73 EUR
146+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.27 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.24 EUR
25000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: DARLINGT
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MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD117T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.19 EUR
100+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.59 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4G MJD117GOn SemiconductorPNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD112) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4G*********
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
916+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 916
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
auf Bestellung 18518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
916+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 916
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MJD117TF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122LGETranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.25 EUR
17500+0.24 EUR
25000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
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MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJD122 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23955
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.27 EUR
360+0.2 EUR
400+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 265
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MJD122-1
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 20W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...12000
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
auf Bestellung 4923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.02 EUR
75+0.91 EUR
525+0.76 EUR
2550+0.7 EUR
5025+0.57 EUR
10050+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
75+1.02 EUR
150+0.91 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.69 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
12500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC Corp.NPN 100V 8A DPAK(TO-252-3) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122/127
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.12 EUR
213+0.65 EUR
243+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 12525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.05 EUR
300+0.73 EUR
1050+0.69 EUR
2550+0.66 EUR
5025+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122G
Produktcode: 165785
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
75+1.08 EUR
150+0.97 EUR
525+0.81 EUR
1050+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK Транзистори
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.09 EUR
75+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.1 EUR
10+0.96 EUR
100+0.66 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
1800+0.42 EUR
3600+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122S-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: NPN TRANSISTORS,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1157500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
17500+0.24 EUR
25000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1157500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.24 EUR
12500+0.23 EUR
17500+0.22 EUR
25000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsТранзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікуєтьс
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...1000
auf Bestellung 9441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.19 EUR
93+0.77 EUR
107+0.67 EUR
143+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 30698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
16+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 17247 Stücke:
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10+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MJD122T4STMNPN Darl. DPAK TO-252-3 Транзистори
auf Bestellung 240 Stücke:
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3+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.38 EUR
25000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.33 EUR
467+0.3 EUR
506+0.27 EUR
539+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON-Semiconductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
74+0.98 EUR
89+0.8 EUR
103+0.69 EUR
118+0.61 EUR
200+0.53 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 19860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorТранзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 16368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 19860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
13+1.38 EUR
100+0.91 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+0.97 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4G*************
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4G-CNCHIPNOBOTransistor Darlington NPN; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP; MJD122T4G-CN CHIPNOBO TMJD122t4 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TF
Produktcode: 101877
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Fairchild SemiconductorTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127LGEPNP Darl. DPAK TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
355+0.2 EUR
395+0.18 EUR
500+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-LGE
Produktcode: 161555
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
auf Bestellung 3567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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MJD127GOn SemiconductorPNP Darl. DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+2.15 EUR
75+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 100...12000
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
59+1.22 EUR
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91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
75+1.12 EUR
150+1.01 EUR
525+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MJD127G
Produktcode: 50655
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.03 EUR
225+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.22 EUR
300+0.88 EUR
1050+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
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MJD127RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
1800+0.49 EUR
3600+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4
Produktcode: 180295
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1287500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
auf Bestellung 10356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
107+0.67 EUR
160+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1287500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMPNP Darl. DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.22 EUR
165+0.85 EUR
171+0.79 EUR
233+0.55 EUR
250+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+0.88 EUR
171+0.84 EUR
233+0.6 EUR
250+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G
Produktcode: 180192
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.58 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GOn SemiconductorPNP Darl. DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
auf Bestellung 7163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127Т4
Produktcode: 26825
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD128onsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 120V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
12+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.5 EUR
10+1.36 EUR
100+0.99 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 6049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
2500+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 277500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4G
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 278962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.87 EUR
16+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4On SemiconductorNPN, Uкэ=1000V, Iк=2A, h21=4...25, 13МГц, 50Вт, DPAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18004D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD20
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200-001
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200-1
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.64 EUR
75+0.44 EUR
525+0.4 EUR
1050+0.36 EUR
2700+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON07+;
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 23020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.01 EUR
163+0.86 EUR
212+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4 W
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.1 EUR
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MJD200RLGONTO252
auf Bestellung 118 Stücke:
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MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.44 EUR
3600+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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MJD200T4STMTO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1202+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1202
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MJD200T4GON Semiconductor
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD200T4G
Produktcode: 132801
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.45 EUR
10+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD200T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD2055T4
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210-1
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.64 EUR
75+0.57 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2700+0.38 EUR
5400+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD210G
Produktcode: 62981
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJD210GOn SemiconductorTRANS POWER PNP 5A 25V DPAK Транзистори
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MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 16280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
75+0.6 EUR
150+0.54 EUR
525+0.45 EUR
1050+0.41 EUR
2025+0.38 EUR
5025+0.34 EUR
10050+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210LT4
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210LTO-251
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210LTO-252T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLMOT
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1810+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1810
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1589+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1589
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1589+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1589
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
1800+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON Semiconductor
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1589+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1589
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.63 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 855
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.67 EUR
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MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210T4/J210
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MJD210T4G
Produktcode: 132802
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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275+0.53 EUR
353+0.4 EUR
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MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
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MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 3548 Stücke:
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10+0.95 EUR
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500+0.47 EUR
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2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
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17500+0.29 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD210T4GON07+;
auf Bestellung 9675 Stücke:
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31500 Stücke:
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1711+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3833 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1711
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MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1711
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MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.65 EUR
274+0.51 EUR
275+0.49 EUR
353+0.37 EUR
357+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G*************
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
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MJD210TF
auf Bestellung 3014 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1254+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1145 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD243
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243
Produktcode: 20318
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243G
Produktcode: 133000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.7 EUR
525+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 14656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
75+0.92 EUR
150+0.82 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
5025+0.51 EUR
10050+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.38 EUR
75+0.6 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2550+0.45 EUR
4950+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GOn SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD253) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.7 EUR
525+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1254+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4ON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4G
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.91 EUR
100+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.42 EUR
373+0.37 EUR
376+0.36 EUR
398+0.32 EUR
402+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 177575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD253T4) Транзистори
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MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.38 EUR
12500+0.36 EUR
17500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G
Produktcode: 172041
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.38 EUR
398+0.36 EUR
402+0.35 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 376
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MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G*************
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD2474T4
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MJD253
Produktcode: 20319
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8542 39 90 00
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MJD253
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD253onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
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MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-001
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
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MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
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MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.89 EUR
75+0.69 EUR
1050+0.54 EUR
2550+0.37 EUR
11550+0.33 EUR
26400+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
75+0.77 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD253-1GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, IPAK (длинные выв.) (компл. MJD243-1) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1G
Produktcode: 133001
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 362
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 10911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G
Produktcode: 172039
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 13303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.73 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.29 EUR
100+0.82 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 65MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.24 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 9540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
29+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
29+0.62 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 3545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.22 EUR
100+0.89 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955On SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1G
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: I-PAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 888
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-T4ON09+
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+0.91 EUR
75+0.81 EUR
525+0.67 EUR
1050+0.56 EUR
5850+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD2955GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.67 EUR
267+0.52 EUR
275+0.49 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.72 EUR
375+0.65 EUR
750+0.59 EUR
1125+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.16 EUR
193+0.72 EUR
204+0.66 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 126
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: tube
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Collector current: 10A
Current gain: 20...100
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
75+0.9 EUR
150+0.8 EUR
525+0.66 EUR
1050+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.75 EUR
204+0.7 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.05 EUR
100+0.72 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Collector current: 10A
Current gain: 20...100
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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1389+0.39 EUR
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON Semiconductor
auf Bestellung 109930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 460746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955VT4
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTF
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
auf Bestellung 6628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.21 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
1800+0.47 EUR
3600+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 171011
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 30624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
15+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4G*************
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 9881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TF
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD30CTF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31B
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31BT4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
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MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100
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MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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MJD31CLGETranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G; MJD31C CDIL TMJD31c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
7500+0.22 EUR
12500+0.2 EUR
17500+0.19 EUR
25000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
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2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
7500+0.21 EUR
12500+0.19 EUR
17500+0.18 EUR
25000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
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3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 17384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
24+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.21 EUR
12500+0.19 EUR
17500+0.18 EUR
25000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.2 EUR
12500+0.18 EUR
17500+0.17 EUR
25000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
7500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
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MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
7500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-ITU
auf Bestellung 20150 Stücke:
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MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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MJD31C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
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MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
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MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1206+0.45 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1206
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MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 649
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MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CETFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CETF_SN00207onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.86 EUR
182+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 169
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MJD31CGOn SemiconductorTRANS NPN 100V 3A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.86 EUR
182+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 169
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MJD31CG
Produktcode: 117657
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MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2325 Stücke:
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184+0.79 EUR
525+0.64 EUR
1050+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 845 Stücke:
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63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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199+0.73 EUR
201+0.7 EUR
205+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 199
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3А, 4В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 @ 375мА, 3А, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 5294 Stücke:
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198+0.73 EUR
200+0.71 EUR
204+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 6414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
75+0.93 EUR
150+0.83 EUR
525+0.69 EUR
1050+0.63 EUR
2025+0.58 EUR
5025+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 8815 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+0.95 EUR
75+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Grade: Automotive
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN H I PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
860+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 860
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
23+0.77 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1010
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.36 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.11 EUR
100+0.78 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 34875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLONSOT252/2.5
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.66 EUR
136+1.05 EUR
189+0.74 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
27+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4ON-SemiconductorDarl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
66+1.08 EUR
77+0.94 EUR
126+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 54823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
21+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON-SemiconductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 23198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
123+0.58 EUR
168+0.43 EUR
192+0.37 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 54570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GOn SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.54 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON-SemiconductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD31CT4GMJD32CG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD31CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
29+0.61 EUR
33+0.54 EUR
100+0.47 EUR
250+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD31CTF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 725000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.49 EUR
15000+0.44 EUR
20000+0.41 EUR
50000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 725000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.47 EUR
15000+0.42 EUR
20000+0.37 EUR
50000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4/J31ON
auf Bestellung 33050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
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2+2.5 EUR
10+1.59 EUR
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MJD31T4GON Semiconductor
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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184+0.79 EUR
205+0.68 EUR
247+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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205+0.71 EUR
247+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
14+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJD31T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4092 Stücke:
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751+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 751
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MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
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MJD32
auf Bestellung 5000 Stücke:
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MJD32BSTTO-252
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MJD32BT4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
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MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
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MJD32C
Produktcode: 191777
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
auf Bestellung 1145 Stücke:
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3+1.38 EUR
10+0.85 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.13 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32C/J32CMOTO
auf Bestellung 1240 Stücke:
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MJD32C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
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MJD32C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
956+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 956
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MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD32C1
auf Bestellung 17070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD32CANexperiaArray
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MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.13 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJ
Produktcode: 191470
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1154+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1154
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 10023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
75+0.76 EUR
150+0.68 EUR
525+0.56 EUR
1050+0.51 EUR
2025+0.46 EUR
5025+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CG
Produktcode: 117659
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
170+0.84 EUR
191+0.73 EUR
525+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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MJD32CGOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
273+0.51 EUR
525+0.49 EUR
1050+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
273+0.52 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.81 EUR
525+0.62 EUR
1050+0.52 EUR
2550+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 6019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.92 EUR
75+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
170+0.82 EUR
191+0.7 EUR
525+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
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MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
50+0.59 EUR
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1221+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
50+0.54 EUR
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
7500+0.36 EUR
12500+0.34 EUR
17500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.35 EUR
12500+0.32 EUR
17500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.45 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 479
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD32CR
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD32CRLMOTOROLA
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.51 EUR
289+0.49 EUR
293+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.59 EUR
3600+0.54 EUR
5400+0.52 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.32 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1800+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD32CRLG
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.57 EUR
260+0.54 EUR
264+0.51 EUR
268+0.48 EUR
272+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 51560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.33 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.56 EUR
264+0.54 EUR
268+0.52 EUR
272+0.5 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMTRANS PNP 100V 3A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
7500+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
12500+0.18 EUR
17500+0.17 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
92+0.78 EUR
103+0.7 EUR
161+0.45 EUR
250+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.22 EUR
5000+0.21 EUR
7500+0.2 EUR
12500+0.19 EUR
25000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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MJD32CT4
Produktcode: 113107
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
19+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD32CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 6197 Stücke:
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15+1.25 EUR
23+0.77 EUR
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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MJD32CT4-A
Produktcode: 132425
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
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3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.3 EUR
5000+0.28 EUR
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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MJD32CT4-ASTMicroelectronicsТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, Тип монт. = smd, hFE = 10 @ 3 А, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 В @ 375 мА, 3 A, Тексп, °С = +150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3573 Stücke:
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315+0.46 EUR
367+0.39 EUR
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MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6045 Stücke:
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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5000+0.27 EUR
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12500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3013 Stücke:
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12+1.57 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
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MJD32CT4GOn SemiconductorTRANS PWR PNP 3A 100V DPAK Транзистори
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3573 Stücke:
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271+0.53 EUR
312+0.45 EUR
315+0.43 EUR
367+0.35 EUR
371+0.33 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 271
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MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6045 Stücke:
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 5418 Stücke:
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3+1.27 EUR
10+0.83 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD32CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GNonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32CTFFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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909+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 909
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_NBDD002onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_SBDD002ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_SBDD002Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.8 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 16000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
980+0.55 EUR
1063+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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427+0.34 EUR
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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278+0.52 EUR
306+0.46 EUR
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1000+0.32 EUR
1800+0.29 EUR
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MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD32RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
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2+1.47 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
1800+0.44 EUR
3600+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1063+0.5 EUR
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MJD32T4
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MJD32T4onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1150+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
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MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1441+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
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MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11474 Stücke:
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
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2+2.11 EUR
10+0.9 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
777+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 777
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
777+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 777
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MJD340FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD340onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD340 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 51390
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,5
h21: 240
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1+0.54 EUR
10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 0.75A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 10MHz
Case: DPAK; TO252
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
115+0.62 EUR
186+0.38 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340D4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
auf Bestellung 8684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.72 EUR
10+0.73 EUR
75+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.79 EUR
525+0.5 EUR
2550+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
75+0.73 EUR
150+0.65 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.48 EUR
2025+0.44 EUR
5025+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.55 EUR
160+0.87 EUR
249+0.54 EUR
525+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.91 EUR
248+0.58 EUR
525+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD340GON-SemiconductorNPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD340RL
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.46 EUR
3600+0.42 EUR
5400+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
12600+0.37 EUR
18000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD340RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Case: DPAK
Polarisation: bipolar
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MJD340RLG
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 19312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD340RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
1800+0.44 EUR
3600+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD340T4STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 30...240, Р, Вт = 15, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
10000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD340T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.72 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 407500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.21 EUR
7500+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
12500+0.17 EUR
17500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD340T4
Produktcode: 108310
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD340T4STMNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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