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MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
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MJD1029
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MJD1029T4
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MJD1034T4
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MJD10N05E
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MJD11
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MJD1117
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MJD112STTO-252
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MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
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MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
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265+0.27 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 265
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MJD112 TO252 SMD
Produktcode: 202522
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD112-001
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MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
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163+0.88 EUR
525+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 163
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 636
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MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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2+2.43 EUR
10+1.36 EUR
75+0.94 EUR
525+0.87 EUR
1050+0.68 EUR
2475+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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207+0.69 EUR
224+0.62 EUR
242+0.55 EUR
525+0.51 EUR
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MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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128+1.12 EUR
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2550+0.65 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.64 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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163+0.88 EUR
525+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 163
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.64 EUR
100000+0.52 EUR
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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636+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 636
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MJD112-1GON Semiconductor
auf Bestellung 65 Stücke:
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MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
75+1.07 EUR
150+0.96 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.73 EUR
2025+0.68 EUR
5025+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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207+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 207
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MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
auf Bestellung 507 Stücke:
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MJD112-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
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MJD112/117
auf Bestellung 1200 Stücke:
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.52 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 274
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 4268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
75+0.68 EUR
150+0.6 EUR
525+0.49 EUR
1050+0.45 EUR
2025+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.75 EUR
269+0.51 EUR
525+0.39 EUR
1050+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 190
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+0.92 EUR
75+0.56 EUR
525+0.44 EUR
1050+0.4 EUR
2475+0.39 EUR
4950+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.73 EUR
525+0.44 EUR
2550+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.52 EUR
525+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 274
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.45 EUR
189+0.73 EUR
267+0.5 EUR
525+0.38 EUR
1050+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RL
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD112RL (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20829
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.66 EUR
3600+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 11063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
1800+0.66 EUR
3600+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 8008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
105+0.69 EUR
169+0.42 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+0.36 EUR
432+0.32 EUR
436+0.3 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 397
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
7500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 5211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.39 EUR
393+0.35 EUR
397+0.33 EUR
432+0.3 EUR
436+0.28 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26922
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 7510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
7500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.37 EUR
171+0.81 EUR
172+0.77 EUR
249+0.51 EUR
252+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 72019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONTO-252
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.83 EUR
249+0.55 EUR
252+0.53 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.35 EUR
12500+0.33 EUR
17500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117
Produktcode: 99164
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
fT: 25 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.23 EUR
10+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117MJD117 Микросхемы
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 148891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1113+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 153995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
auf Bestellung 58038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1144+0.47 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+1.32 EUR
75+1.03 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.58 EUR
2400+0.56 EUR
4800+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
auf Bestellung 81991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1144+0.47 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.85 EUR
10+1.24 EUR
25+1.02 EUR
75+0.91 EUR
525+0.76 EUR
1050+0.64 EUR
2400+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
75+0.92 EUR
150+0.83 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.62 EUR
2025+0.57 EUR
5025+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+0.87 EUR
176+0.78 EUR
214+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.08 EUR
164+0.84 EUR
176+0.75 EUR
213+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 90
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MJD117G
Produktcode: 79758
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
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MJD117RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 6030 Stücke:
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10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
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MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: DARLINGT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.68 EUR
86+1.61 EUR
87+1.53 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 8665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.83 EUR
16+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.67 EUR
87+1.59 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4G*********
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.57 EUR
1014+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 935
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.57 EUR
1014+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 935
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
auf Bestellung 18518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122LGETranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23955
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.27 EUR
360+0.2 EUR
400+0.18 EUR
500+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
auf Bestellung 4923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.59 EUR
75+0.88 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.6 EUR
5025+0.54 EUR
10050+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.2 EUR
75+0.97 EUR
150+0.86 EUR
525+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJD122-1
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
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MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
12500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 22142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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MJD122-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122/127
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.6 EUR
100+1.38 EUR
228+0.58 EUR
525+0.55 EUR
1050+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD122G
Produktcode: 165785
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.42 EUR
229+0.6 EUR
525+0.57 EUR
1050+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - DARLINGTON-TRANSISTOR, 100V, 8A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 7204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.8 EUR
75+0.75 EUR
525+0.7 EUR
1050+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.02 EUR
300+0.63 EUR
1050+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
75+1.07 EUR
150+0.95 EUR
525+0.8 EUR
1050+0.73 EUR
2025+0.67 EUR
5025+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 4125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.1 EUR
10+0.96 EUR
100+0.66 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.47 EUR
1800+0.42 EUR
3600+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD122RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: NPN TRANSISTORS,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.16 EUR
99+0.73 EUR
147+0.49 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.44 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.28 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
auf Bestellung 7463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1260000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.28 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 38937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.48 EUR
12500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON-Semiconductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.79 EUR
128+1.08 EUR
129+1.03 EUR
183+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.22 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.12 EUR
129+1.07 EUR
183+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4G*************
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122T4G-CNCHIPNOBOTransistor Darlington NPN; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP; MJD122T4G-CN CHIPNOBO TMJD122t4 CNB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD122TF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122TF
Produktcode: 101877
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Fairchild SemiconductorTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD127YFWTransistor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127-LGE; MJD127 DPAK YFW TMJD127 YFW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD127-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
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MJD127-LGE
Produktcode: 161555
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.22 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.59 EUR
245+0.56 EUR
525+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - DARLINGTON-TRANSISTOR, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 257
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.94 EUR
300+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.74 EUR
206+0.67 EUR
208+0.64 EUR
525+0.58 EUR
1050+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127G
Produktcode: 50655
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+2.01 EUR
75+0.76 EUR
525+0.73 EUR
2700+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
75+1.12 EUR
150+1.01 EUR
525+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.71 EUR
205+0.67 EUR
525+0.61 EUR
1050+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
1800+0.49 EUR
3600+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1497500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4
Produktcode: 180295
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
10000+0.29 EUR
12500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 5060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+1 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
10000+0.29 EUR
12500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1497500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 4836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.08 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.04 EUR
181+0.76 EUR
186+0.72 EUR
240+0.53 EUR
250+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD127T4G
Produktcode: 180192
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.79 EUR
186+0.74 EUR
240+0.55 EUR
250+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 181
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
auf Bestellung 7163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127Т4
Produktcode: 26825
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJD128
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
12+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.6 EUR
7500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.36 EUR
10+1.11 EUR
100+0.88 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13003C
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD13005T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.74 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.1 EUR
10+0.72 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4G
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 278962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.87 EUR
16+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
auf Bestellung 6207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.85 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 277500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.4 EUR
17500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD148T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18002D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD18004D2T4G
auf Bestellung 52900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD20
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200-001
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200-1
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON07+;
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1 EUR
163+0.85 EUR
212+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.64 EUR
75+0.44 EUR
525+0.4 EUR
1050+0.36 EUR
2700+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 23020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.37 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 9486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.65 EUR
10+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.44 EUR
1800+0.4 EUR
3600+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.44 EUR
3600+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200RLGONTO252
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1202+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4STMTO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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MJD200T4GON Semiconductor
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4G
Produktcode: 132801
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.73 EUR
100+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2055T4
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210-1
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 16280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
75+0.6 EUR
150+0.54 EUR
525+0.45 EUR
1050+0.41 EUR
2025+0.38 EUR
5025+0.34 EUR
10050+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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MJD210G
Produktcode: 62981
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MJD210LT4
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MJD210LTO-251
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MJD210LTO-252T/R
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MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
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1480+0.33 EUR
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MJD210RLMOT
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MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
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MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210RLGON Semiconductor
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MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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3+1.07 EUR
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100+0.56 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
1800+0.36 EUR
3600+0.35 EUR
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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1800+0.28 EUR
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MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1815 Stücke:
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1589
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1589+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1589
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MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 740
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MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 855
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MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210T4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
855+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 855
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MJD210T4/J210
auf Bestellung 13700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.52 EUR
353+0.39 EUR
357+0.37 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G
Produktcode: 132802
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 28872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 11998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+0.83 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.29 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON07+;
auf Bestellung 9675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 110047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.64 EUR
274+0.5 EUR
275+0.48 EUR
353+0.36 EUR
357+0.34 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G*************
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
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MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1254+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1254
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MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
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MJD210TF
auf Bestellung 3014 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJD243
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MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
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MJD243
Produktcode: 20318
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8542 39 90 00
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MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
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2+1.9 EUR
10+1.38 EUR
75+0.6 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2550+0.45 EUR
4950+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 208
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MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 208
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243G
Produktcode: 133000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.69 EUR
525+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 14656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
75+0.92 EUR
150+0.82 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
5025+0.51 EUR
10050+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4ON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1254+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4G
Produktcode: 172041
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.38 EUR
12500+0.36 EUR
17500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.41 EUR
373+0.37 EUR
376+0.35 EUR
398+0.32 EUR
402+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.91 EUR
100+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 177575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.38 EUR
398+0.35 EUR
402+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 376
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4G
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD243T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2474T4
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253
Produktcode: 20319
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8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-001
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1G
Produktcode: 133001
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.89 EUR
75+0.69 EUR
1050+0.54 EUR
2550+0.37 EUR
11550+0.33 EUR
26400+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1599+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1599
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
75+0.77 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.4 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 362
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 13303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.73 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G
Produktcode: 172039
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD253T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.63 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 9540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
29+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.24 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
29+0.62 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 5679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.67 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 888
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-1G
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955-T4ON09+
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.66 EUR
267+0.52 EUR
275+0.48 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
75+0.91 EUR
150+0.81 EUR
525+0.67 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.71 EUR
375+0.62 EUR
750+0.56 EUR
1125+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.14 EUR
193+0.71 EUR
204+0.65 EUR
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1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.28 EUR
75+0.87 EUR
525+0.6 EUR
1050+0.55 EUR
1950+0.54 EUR
5850+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: tube
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.74 EUR
204+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
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MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD2955T4GON Semiconductor
auf Bestellung 109930 Stücke:
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
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MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
auf Bestellung 4863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.05 EUR
100+0.72 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1389+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 460746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD2955VT4
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTF
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
auf Bestellung 6664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
1800+0.44 EUR
3600+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 171011
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 12834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON Semiconductor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055T4G*************
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 9881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD3055TF
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD30CTF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31B
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31BT4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CLGETranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G; MJD31C CDIL TMJD31c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 9276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
7500+0.16 EUR
12500+0.15 EUR
17500+0.14 EUR
25000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
7500+0.16 EUR
12500+0.15 EUR
17500+0.14 EUR
25000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
7500+0.17 EUR
12500+0.16 EUR
17500+0.15 EUR
25000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
5000+0.17 EUR
12500+0.16 EUR
17500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
7500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 3673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.14 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
7500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-ITU
auf Bestellung 20150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1206+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1206
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MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
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MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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MJD31CEITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 649
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MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 902
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MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CETFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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MJD31CETF_SN00207onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.27 EUR
294+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 113
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MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
75+0.95 EUR
150+0.85 EUR
525+0.7 EUR
1050+0.64 EUR
2025+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 5751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
75+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.26 EUR
297+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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MJD31CG
Produktcode: 117657
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MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 184
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MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
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MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD31CH-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
860+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 860
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN H I PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsSilicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
23+0.77 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1010
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1521
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.81 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 2923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLONSOT252/2.5
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.6 EUR
3600+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1800+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 751
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.16 EUR
13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLGONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
27+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Computer ControlMJD31CS-TP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CS-TPMicro Computer ControlMJD31CS-TP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
7500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
66+1.08 EUR
77+0.94 EUR
126+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
14+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
7500+0.17 EUR
12500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31CT4ON-SemiconductorDarl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
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MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
24+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.28 EUR
12500+0.27 EUR
17500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.23 EUR
12500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON-SemiconductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.28 EUR
7500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 375
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.84 EUR
123+0.58 EUR
168+0.43 EUR
192+0.37 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.1 EUR
213+0.65 EUR
217+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 24710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.23 EUR
12500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GMJD32CG
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
29+0.61 EUR
33+0.54 EUR
100+0.47 EUR
250+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 725000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+0.43 EUR
10000+0.39 EUR
15000+0.34 EUR
20000+0.31 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 725000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+0.43 EUR
10000+0.39 EUR
15000+0.34 EUR
20000+0.31 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4/J31ON
auf Bestellung 33050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON Semiconductor
auf Bestellung 3784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
14+1.34 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.83 EUR
173+0.8 EUR
175+0.76 EUR
177+0.72 EUR
250+0.69 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 172
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.83 EUR
175+0.79 EUR
177+0.75 EUR
250+0.72 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+1.13 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.78 EUR
205+0.67 EUR
247+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 184
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.7 EUR
247+0.56 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32BSTTO-252
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32BT4STM07+ TO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C
Produktcode: 191777
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+0.85 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.13 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C/J32CMOTO
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C1
auf Bestellung 17070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
956+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 956
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CANexperiaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.13 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJ
Produktcode: 191470
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1154+0.46 EUR
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MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 543 Stücke:
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74+1.94 EUR
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MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
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MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4276 Stücke:
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MJD32CG
Produktcode: 117659
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
75+0.76 EUR
150+0.67 EUR
525+0.56 EUR
1050+0.5 EUR
2025+0.46 EUR
5025+0.42 EUR
10050+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.56 EUR
273+0.51 EUR
525+0.48 EUR
1050+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.56 EUR
273+0.51 EUR
525+0.48 EUR
1050+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 256
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.8 EUR
525+0.6 EUR
1050+0.5 EUR
2550+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 6683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
50+0.54 EUR
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
50+0.59 EUR
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1221+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.44 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 479
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.34 EUR
12500+0.32 EUR
17500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.34 EUR
12500+0.32 EUR
17500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CR
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLMOTOROLA
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLG
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.55 EUR
264+0.52 EUR
268+0.5 EUR
272+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 51560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.33 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.5 EUR
289+0.48 EUR
293+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.32 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1800+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.59 EUR
3600+0.54 EUR
5400+0.52 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.56 EUR
260+0.53 EUR
264+0.5 EUR
268+0.48 EUR
272+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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MJD32CT4
Produktcode: 113107
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 5942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
19+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
17500+0.17 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
17500+0.17 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-A
Produktcode: 132425
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
25+0.73 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
auf Bestellung 5993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+0.45 EUR
367+0.38 EUR
371+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
7500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.83 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.53 EUR
312+0.44 EUR
315+0.42 EUR
367+0.35 EUR
371+0.33 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GNonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DPAK
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
909+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 909
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_NBDD002onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_SBDD002ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTF_SBDD002Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 16000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.8 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD32Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
1800+0.44 EUR
3600+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 23400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
980+0.55 EUR
1063+0.49 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 980
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MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
427+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 427
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.51 EUR
306+0.45 EUR
347+0.38 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
1800+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
980+0.55 EUR
1063+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 980
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
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MJD32T4
auf Bestellung 1661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1150+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
777+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 777
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
777+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 777
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+0.9 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 51390
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,5
h21: 240
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1+0.54 EUR
10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.34 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340D4
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.9 EUR
248+0.56 EUR
525+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.78 EUR
525+0.48 EUR
2550+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
auf Bestellung 9102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+0.73 EUR
75+0.64 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.44 EUR
5400+0.39 EUR
10800+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.1 EUR
109+0.66 EUR
144+0.5 EUR
189+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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MJD340GON-SemiconductorNPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
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94+1.53 EUR
160+0.86 EUR
249+0.53 EUR
525+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
75+0.73 EUR
150+0.65 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.48 EUR
2025+0.44 EUR
5025+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340RL
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
1800+0.44 EUR
3600+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 19312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.46 EUR
3600+0.42 EUR
5400+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
12600+0.37 EUR
18000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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MJD340RLG
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 412500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
12500+0.17 EUR
17500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.45 EUR
365+0.38 EUR
369+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
16+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
7500+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.3 EUR
7500+0.28 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD340T4 STMicroelectronics TMJD340T4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 407500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
10000+0.18 EUR
12500+0.17 EUR
17500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.72 EUR
100+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4
Produktcode: 108310
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.5 EUR
328+0.42 EUR
331+0.4 EUR
375+0.34 EUR
379+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 287
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorТранзистор NPN; Ptot, Вт = 1,56; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 30 @ 50 мA, 10 В; Icutoff-max = 100 мкА; Тексп, °С = -65...+150; D-PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.36 EUR
21+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
auf Bestellung 45498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.43 EUR
391+0.35 EUR
393+0.34 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.51 EUR
332+0.42 EUR
335+0.4 EUR
391+0.33 EUR
393+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 283
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GNonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
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MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD340TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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MJD340TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD340TF_NLDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJD340TF_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
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MJD350T4
Produktcode: 102244
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJD350Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD350FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD350-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 9473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MJD350-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD350-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
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MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+0.67 EUR
100+0.5 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350T4STPNP 500mA 300V 15W MJD350 TMJD350
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJD350T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 218730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
10000+0.47 EUR
100000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 879
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MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.38 EUR
12500+0.36 EUR
17500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD350T4onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
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MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 18850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4$K
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.34 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 26034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.8 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
auf Bestellung 8060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.08 EUR
100+0.72 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.34 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.55 EUR
286+0.48 EUR
289+0.46 EUR
327+0.39 EUR
329+0.37 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.47 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.5 EUR
289+0.48 EUR
327+0.41 EUR
329+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 286
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MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 37901
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: D-Pak
fT: 10 MHz
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.36 EUR
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MJD350T4GNonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
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MJD350T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 05A 300V TR
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MJD350TFFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD350TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
auf Bestellung 16064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MJD350TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350TF - MJD350TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 2177 Stücke:
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1110+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
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MJD350TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1358+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1358
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MJD361T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
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