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07+ TO-252

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MJD112

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

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MJD112

TO-252

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MJD112

LGE

Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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MJD112

TO-252

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MJD112

TO-252

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MJD112 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 8058 Stücke:

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245+	0.29 EUR
410+	0.18 EUR
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MJD112 TO252 SMD
Produktcode: 202522

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MJD112 TO252 SMD

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MJD112-001

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD112-001

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 150169 Stücke:

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637+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.64 EUR
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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

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197+	0.73 EUR
199+	0.7 EUR
525+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 197

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MJD112-1G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: IPAK

auf Bestellung 129 Stücke:

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65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
87+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 57 Stücke:

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 45308 Stücke:

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637+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.64 EUR

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MJD112-1G

auf Bestellung 65 Stücke:

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MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 244753 Stücke:

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552+	0.84 EUR

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 34 Stücke:

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 26950 Stücke:

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637+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.64 EUR

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 24750 Stücke:

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 1650 Stücke:

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150+	1.24 EUR
300+	1.09 EUR
1050+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 846 Stücke:

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190+	0.75 EUR
238+	0.58 EUR
240+	0.55 EUR
525+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 190

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MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 846 Stücke:

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190+	0.75 EUR

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 15444 Stücke:

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637+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
10000+	0.64 EUR

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MJD112-1G

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

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MJD112-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 784 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
75+	0.95 EUR
525+	0.85 EUR
1050+	0.7 EUR
2475+	0.66 EUR
4950+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD112-1G

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.12 EUR
72+	1 EUR
87+	0.82 EUR
92+	0.78 EUR
300+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 65

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MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 600 Stücke:

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197+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 197

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MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK

auf Bestellung 507 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

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MJD112-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

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MJD112/117

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MJD112G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 6804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.63 EUR
10+	1.49 EUR
25+	1.09 EUR
75+	0.56 EUR
300+	0.55 EUR
525+	0.44 EUR
4950+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

404+	0.35 EUR
525+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 404

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MJD112G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
75+	0.69 EUR
150+	0.61 EUR
525+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

404+	0.35 EUR
525+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 404

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MJD112G

NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK

auf Bestellung 2429 Stücke:

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

101+	1.42 EUR
118+	1.17 EUR
167+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 101

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MJD112G

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8916 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 168

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MJD112G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: DPAK

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD112G

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	2.86 EUR
49+	1.46 EUR
133+	0.54 EUR
525+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.91 EUR
525+	0.48 EUR
2550+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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MJD112RL

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD112RL

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112RL (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20829

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 79200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.69 EUR
3600+	0.64 EUR
5400+	0.61 EUR
9000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD112RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112RLG

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 12591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.77 EUR
1800+	0.69 EUR
3600+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 50400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 79506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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MJD112T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD112T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4856 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

99+	0.73 EUR
121+	0.59 EUR
133+	0.54 EUR
260+	0.28 EUR
275+	0.26 EUR
5000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 99

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

356+	0.4 EUR
378+	0.36 EUR
404+	0.33 EUR
405+	0.31 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 356

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MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 4532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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MJD112T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 5931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD112T4

auf Bestellung 4856 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	0.73 EUR
121+	0.59 EUR
133+	0.54 EUR
260+	0.28 EUR
275+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 99

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

378+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 378

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
10000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4

Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	5.1 EUR

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
10000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26922

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MJD112T4G

TO-252

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 87500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR
5000+	0.28 EUR
7500+	0.27 EUR
12500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD112T4G

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

auf Bestellung 190594 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
18+	1 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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MJD112T4G

TO-252

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.38 EUR
7500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	20.4 EUR

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MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6482 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 87500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.91 EUR
219+	0.63 EUR
221+	0.6 EUR
286+	0.45 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 158

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MJD112T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 190000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR
7500+	0.36 EUR
12500+	0.34 EUR
17500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD112T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 10110 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.58 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.46 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD112T4G

09+

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD112TF

Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington

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MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD117

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117

MJD117 Микросхемы

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117
Produktcode: 99164

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: D-Pak
fT: 25 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

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1+	0.23 EUR
10+	0.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-001

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

auf Bestellung 58038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1144+	0.47 EUR
10000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1144

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MJD117-1G

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MJD117-1G

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

auf Bestellung 81991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1144+	0.47 EUR
10000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1144

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MJD117-1G

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD117-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.5 EUR
10+	1.32 EUR
75+	1.03 EUR
525+	0.8 EUR
1050+	0.58 EUR
2400+	0.56 EUR
4800+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117-1G

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 153995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-1G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 148891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1113+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1113

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-1G

09+ TQFP

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-HF

Comchip Technology

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-HF

Comchip Technology

Description: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117-TP

Micro Commercial Co

Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 261 Stücke:

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MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD117G

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD117G
Produktcode: 79758

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Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2

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1+	0.57 EUR
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MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD117G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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8+	2.36 EUR
75+	1.03 EUR
150+	0.92 EUR
525+	0.77 EUR
1050+	0.7 EUR
2025+	0.64 EUR
5025+	0.58 EUR
10050+	0.54 EUR

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MJD117G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

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10+	1.24 EUR
25+	1.02 EUR
75+	0.91 EUR
525+	0.76 EUR
1050+	0.64 EUR
2400+	0.61 EUR

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MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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176+	0.78 EUR
214+	0.62 EUR

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MJD117RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD117RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

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MJD117RLG

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 6285 Stücke:

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76+	0.94 EUR
94+	0.76 EUR
209+	0.34 EUR
221+	0.32 EUR

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.38 EUR

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MJD117T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 1320 Stücke:

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2+	1.74 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

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MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 6995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.38 EUR

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

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2500+	0.37 EUR
5000+	0.29 EUR
7500+	0.28 EUR
12500+	0.26 EUR
17500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD117T4

auf Bestellung 6285 Stücke:

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76+	0.94 EUR
94+	0.76 EUR
209+	0.34 EUR
221+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 76

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MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.44 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.29 EUR
7500+	0.28 EUR
12500+	0.26 EUR
17500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD117T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2695 Stücke:

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MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: DARLINGT

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MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 15237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	1.67 EUR
87+	1.59 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 86

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.68 EUR
86+	1.61 EUR
87+	1.53 EUR
100+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 85

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.44 EUR
12500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

MJD117T4G Диоды

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 9455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117T4G*********

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

935+	0.57 EUR
1014+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 935

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

935+	0.57 EUR
1014+	0.51 EUR
10000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 935

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MJD117TF

Darlington Transistors PNP Silicon Darl

auf Bestellung 18518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117TF

Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 24317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD117TF-FS

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD122

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

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MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 2063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
25+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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MJD122

Tranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.27 EUR
5000+	0.25 EUR
7500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122

Tranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2500 Stücke:

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100+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD122 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23955

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MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912

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MJD122 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: TO252

auf Bestellung 2625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.25 EUR
385+	0.19 EUR
425+	0.17 EUR
435+	0.16 EUR
465+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 285

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MJD122 TO252 SMD

auf Bestellung 2625 Stücke:

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285+	0.25 EUR
385+	0.19 EUR
425+	0.17 EUR
435+	0.16 EUR
465+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 285

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD122-1

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2537 Stücke:

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MJD122-1

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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MJD122-1

Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

auf Bestellung 3840 Stücke:

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2+	2.31 EUR
10+	1.01 EUR
75+	0.9 EUR
525+	0.75 EUR
1050+	0.66 EUR
2550+	0.63 EUR
5025+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD122-1

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 613 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.38 EUR
75+	1.05 EUR
150+	0.94 EUR
525+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.52 EUR

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MJD122-1G

Darlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V

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MJD122-1G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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MJD122-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.47 EUR
7500+	0.45 EUR
12500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

auf Bestellung 7511 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 22214 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
15+	1.21 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD122-TP-HF-B002

Bipolar Transistors - BJT

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MJD122-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD122/127

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD122G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.1 EUR
73+	0.99 EUR
95+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 65

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	0.67 EUR
215+	0.64 EUR
217+	0.61 EUR
300+	0.53 EUR
525+	0.51 EUR
1050+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 212

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

203+	0.71 EUR
300+	0.58 EUR
525+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 203

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MJD122G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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MJD122G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 4035 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
75+	1.11 EUR
150+	0.99 EUR
525+	0.83 EUR
1050+	0.76 EUR
2025+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5327 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

208+	0.69 EUR
210+	0.66 EUR
212+	0.63 EUR
214+	0.6 EUR
300+	0.52 EUR
525+	0.49 EUR
1050+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 208

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MJD122G

auf Bestellung 439 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.1 EUR
73+	0.99 EUR
95+	0.76 EUR
100+	0.72 EUR
750+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 65

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

203+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 203

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MJD122G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3.33 EUR

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MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 5222 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.18 EUR
300+	0.8 EUR
1050+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

149+	0.96 EUR
2250+	0.85 EUR
3375+	0.76 EUR
4500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 149

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MJD122G
Produktcode: 165785

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MJD122G

On Semiconductor

NPN Darl. DPAK

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122G

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7108 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122GT4G

BIP

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MJD122RLG

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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MJD122RLG

Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V

auf Bestellung 1785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
1800+	0.42 EUR
3600+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 182 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1415000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

STMicroelectronics NV

NPN Darl. DPAK TO-252-3

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD122T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

auf Bestellung 9555 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.43 EUR
12500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1415000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
5000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...1000

auf Bestellung 2036 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
86+	0.84 EUR
240+	0.3 EUR
253+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 54

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MJD122T4

auf Bestellung 2036 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
86+	0.84 EUR
240+	0.3 EUR
253+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 54

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 20722 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington

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1+	0.5 EUR

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MJD122T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 2 Stücke:

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1+	5.1 EUR

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MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 13206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 13864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.11 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 160

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MJD122T4G

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	1.39 EUR
72+	1.01 EUR
132+	0.54 EUR
140+	0.51 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.1 EUR
160+	0.86 EUR
165+	0.81 EUR
201+	0.64 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 131

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MJD122T4G

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

52+	1.39 EUR
72+	1.01 EUR
132+	0.54 EUR
140+	0.51 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 13206 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.56 EUR
5000+	0.52 EUR
7500+	0.5 EUR
12500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122T4G

ON-Semicoductor

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 2300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.47 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.47 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD122T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

auf Bestellung 8116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.33 EUR
25+	1.29 EUR
100+	0.9 EUR
250+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.59 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122T4G*************

auf Bestellung 30000 Stücke:

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MJD122T4GOS

Darlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK

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MJD122TF
Produktcode: 101877

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MJD122TF

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

auf Bestellung 6389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD122TF

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD122TF

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD127

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD127

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2210 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	0.84 EUR
31+	0.57 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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MJD127

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

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MJD127 TO252 SMD

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

265+	0.27 EUR
375+	0.19 EUR
415+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 265

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127 TO252 SMD

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

265+	0.27 EUR
375+	0.19 EUR
415+	0.17 EUR
455+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 265

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MJD127-1

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD127-LGE
Produktcode: 161555

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MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD127-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK

auf Bestellung 3251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR
2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127-TR

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 4779 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.84 EUR
156+	0.88 EUR
180+	0.74 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.57 EUR
2550+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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MJD127G
Produktcode: 50655

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
75+	1.16 EUR
150+	1.04 EUR
525+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 4774 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.91 EUR
181+	0.76 EUR
525+	0.63 EUR
1050+	0.59 EUR
2550+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 157

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 4MHz
Current gain: 100...12000
Kind of package: tube

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	1.62 EUR
54+	1.33 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR
150+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 45

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

161+	0.89 EUR
185+	0.74 EUR
525+	0.62 EUR
1050+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 161

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1091 Stücke:

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161+	0.89 EUR
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MJD127G

Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

auf Bestellung 400 Stücke:

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1+	3.33 EUR

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MJD127G

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5360 Stücke:

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MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD127G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

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10+	1.76 EUR
25+	1.53 EUR
75+	1.04 EUR
300+	0.89 EUR
525+	0.82 EUR
1050+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD127G

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54+	1.33 EUR
91+	0.79 EUR
97+	0.74 EUR
150+	0.72 EUR

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MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

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MJD127RLG

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MJD127RLG

Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

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3+	1.29 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
1800+	0.49 EUR
3600+	0.46 EUR

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MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

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MJD127RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD127S-TP

Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A

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MJD127S-TP

Micro Commercial Co

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.47 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

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MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11599 Stücke:

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1747500 Stücke:

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2500+	0.34 EUR
5000+	0.27 EUR
7500+	0.26 EUR
12500+	0.25 EUR
17500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

auf Bestellung 5759 Stücke:

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2+	1.57 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 6478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.38 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4424 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

61+	1.17 EUR
82+	0.88 EUR
243+	0.29 EUR
257+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 61

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MJD127T4
Produktcode: 180295

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MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1747500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.34 EUR
5000+	0.28 EUR
7500+	0.27 EUR
12500+	0.25 EUR
17500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4

auf Bestellung 4424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	1.17 EUR
82+	0.88 EUR
243+	0.29 EUR
257+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 61

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MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.37 EUR
5000+	0.34 EUR
7500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127T4G

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
82+	0.88 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.45 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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MJD127T4G
Produktcode: 180192

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MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 14067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
82+	0.88 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.45 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

auf Bestellung 4067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.63 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.53 EUR
2500+	0.43 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.47 EUR
5000+	0.44 EUR
7500+	0.42 EUR
12500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1948 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G

HXY MOSFET

Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD127T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127T4G-JSM

JSMicro Semiconductor

Transistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD127T4GOS

Darlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK

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MJD127TF

Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington

auf Bestellung 7163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD127Т4
Produktcode: 26825

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MJD128

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD128T4

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD128T4

auf Bestellung 50000 Stücke:

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MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD128T4G

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 20219 Stücke:

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7+	2.64 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD128T4G

Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR

auf Bestellung 5756 Stücke:

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2+	1.99 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD128T4G

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2500+	0.71 EUR
5000+	0.66 EUR
7500+	0.63 EUR

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MJD128T4G

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MJD13003

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MJD13003A

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MJD13003C

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MJD13005

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MJD13005T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

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MJD148

auf Bestellung 18000 Stücke:

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MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

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MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148-QJ

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD148-QJ

Bipolar Transistors - BJT 45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor

auf Bestellung 2097 Stücke:

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3+	1.17 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 2082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
24+	0.74 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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MJD148-QJ

auf Bestellung 860 Stücke:

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MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 6049 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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MJD148J

Bipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.72 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR
2500+	0.29 EUR
5000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD148T4

Description: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148T4G

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD148T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN

auf Bestellung 6207 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.93 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 278962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 277500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.44 EUR
7500+	0.42 EUR
12500+	0.4 EUR
17500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD148T4G*************

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD18002D2

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD18002D2T4

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

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MJD18002D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

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MJD18002D2T4G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD18004D2T4G

auf Bestellung 52900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD20

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD200

Bipolar Transistors - BJT

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MJD200-001

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200-1

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD200G

07+;

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1 EUR
163+	0.85 EUR
212+	0.63 EUR
500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 7909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.64 EUR
75+	0.44 EUR
525+	0.4 EUR
1050+	0.36 EUR
2700+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 675 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 23020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
2000+	0.41 EUR
5000+	0.37 EUR
10000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200RLG

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD200RLG

TO252

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD200RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.17 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.5 EUR
1800+	0.45 EUR
3600+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1202+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1202

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MJD200T4

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD200T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD200T4G

Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD200T4G

08+ QFP

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MJD200T4G

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MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 3775 Stücke:

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18+	1 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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MJD200T4G

auf Bestellung 2100 Stücke:

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MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200T4G
Produktcode: 132801

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MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD200T4G

auf Bestellung 6030 Stücke:

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MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD200T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

auf Bestellung 6168 Stücke:

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4+	0.83 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.37 EUR
2500+	0.32 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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MJD200T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

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MJD200T5G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

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MJD200T5G

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

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MJD2055T4

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MJD210

07+ TO-252

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MJD210

FSC

0832+ LQFP48

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MJD210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

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MJD210

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD210

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD210-1

auf Bestellung 2072 Stücke:

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MJD210-TF

SAMSUNG

SOT-252

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MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

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2+	1.47 EUR
10+	1.42 EUR
75+	0.56 EUR
525+	0.53 EUR
1050+	0.37 EUR
2700+	0.35 EUR
5400+	0.34 EUR

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MJD210G
Produktcode: 62981

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MJD210G

auf Bestellung 16280 Stücke:

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15+	1.25 EUR
75+	0.6 EUR
150+	0.54 EUR
525+	0.45 EUR
1050+	0.41 EUR
2025+	0.38 EUR
5025+	0.34 EUR
10050+	0.32 EUR

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MJD210G

MJD210G PNP SMD Darlington transistors

auf Bestellung 82 Stücke:

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82+	0.87 EUR
124+	0.57 EUR
1050+	0.34 EUR

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MJD210G

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 312 Stücke:

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MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD210LT4

TO-252

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MJD210LT4

auf Bestellung 15000 Stücke:

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MJD210LTO-251

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD210LTO-252T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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MJD210RL

Description: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15400 Stücke:

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MJD210RL

MOT

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MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 8700 Stücke:

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1480+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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MJD210RL

Trans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15400 Stücke:

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1810+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1810

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MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD210RLG

auf Bestellung 7200 Stücke:

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1800+	0.39 EUR
3600+	0.36 EUR
5400+	0.34 EUR

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

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1800+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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1589+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1589

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD210RLG

Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2017 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 7841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
21+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1589+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1589

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MJD210RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 1512 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.07 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR
1800+	0.36 EUR
3600+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210RLG

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210RLG

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 13785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1589+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1589

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MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4

Description: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD210T4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

855+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 855

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4

Description: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

740+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 740

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

855+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 855

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MJD210T4/J210

auf Bestellung 13700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2155 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1711+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1711

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MJD210T4G

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 31500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1711+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1711

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MJD210T4G

07+;

auf Bestellung 9675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD210T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

auf Bestellung 11998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.25 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD210T4G

auf Bestellung 47548 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1711+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1711

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD210T4G

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 110047 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1711+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1711

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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222+	0.64 EUR
274+	0.5 EUR
275+	0.48 EUR
353+	0.36 EUR
357+	0.34 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 222

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MJD210T4G
Produktcode: 132802

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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1711+	0.31 EUR

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MJD210T4G

auf Bestellung 45000 Stücke:

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2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR
7500+	0.35 EUR
12500+	0.33 EUR
17500+	0.32 EUR
25000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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275+	0.52 EUR
353+	0.39 EUR
357+	0.37 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 275

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MJD210T4G*************

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MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

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1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

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MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

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1254+	0.43 EUR

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MJD210TF

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MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

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MJD210TF

Description: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12649 Stücke:

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MJD210TF

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD210TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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MJD210TM

MJD210TM^FAIRCHILD

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MJD243

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MJD243

Bipolar Transistors - BJT

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MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

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MJD243
Produktcode: 20318

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8542 39 90 00

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MJD243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

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MJD243G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 14656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.11 EUR
75+	0.92 EUR
150+	0.82 EUR
525+	0.68 EUR
1050+	0.61 EUR
2025+	0.56 EUR
5025+	0.51 EUR
10050+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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MJD243G
Produktcode: 133000

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 842 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

208+	0.69 EUR
525+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 208

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 11850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

208+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 208

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD243G

Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

208+	0.69 EUR
525+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 208

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MJD243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 3004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.34 EUR
75+	0.9 EUR
525+	0.78 EUR
1050+	0.63 EUR
4950+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1254+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 1254

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MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4802 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.84 EUR
215+	0.64 EUR
217+	0.61 EUR
275+	0.46 EUR
278+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 132500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.49 EUR
5000+	0.45 EUR
7500+	0.43 EUR
12500+	0.41 EUR
17500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

auf Bestellung 3718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.18 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4802 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.66 EUR
275+	0.5 EUR
278+	0.48 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 217

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

auf Bestellung 2408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G
Produktcode: 172041

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MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 132500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 134174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD243T4G*************

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2474T4

auf Bestellung 3090 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD253

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD253
Produktcode: 20319

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8542 39 90 00

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MJD253

onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F

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MJD253-001

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD253-001

auf Bestellung 2913 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD253-1G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MJD253-1G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 1068 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.89 EUR
75+	0.69 EUR
1050+	0.54 EUR
2550+	0.37 EUR
11550+	0.33 EUR
26400+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD253-1G
Produktcode: 133001

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD253-1G

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
75+	0.77 EUR
150+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD253T4

Description: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD253T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

auf Bestellung 42213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.28 EUR
10000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.25 EUR
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MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.31 EUR
5000+	0.29 EUR
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MJD253T4G

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD253T4G
Produktcode: 172039

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MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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408+	0.35 EUR
462+	0.3 EUR
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500+	0.26 EUR
1000+	0.22 EUR

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MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 16496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.92 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.34 EUR

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MJD253T4G

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MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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398+	0.36 EUR
404+	0.34 EUR
408+	0.33 EUR
462+	0.28 EUR
467+	0.26 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 398

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MJD253T4G*************

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MJD2873-13

Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

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MJD2873-QJ

Description: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 7370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.2 EUR
24+	0.74 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.32 EUR

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MJD2873-QJ

Bipolar Transistors - BJT 50 V, 2 A NPN high power bipolar transistor

auf Bestellung 4134 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.02 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
2500+	0.27 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD2873-QJ

MJD2873-QJ NPN SMD transistors

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MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.28 EUR
5000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD2873-QJ

auf Bestellung 505 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

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MJD2873J

Description: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2873J

Bipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK

auf Bestellung 2668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.95 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.34 EUR
1000+	0.3 EUR
2500+	0.23 EUR
10000+	0.2 EUR
25000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD2873J

Description: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 1124 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2873Q-13

Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.29 EUR
5000+	0.27 EUR
7500+	0.25 EUR
12500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD2873Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

auf Bestellung 5940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
2500+	0.26 EUR
10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2873Q-13

Description: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 14950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

Bipolar Transistors - Pre-Biased

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD2955

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT

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MJD2955

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-001

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-001

auf Bestellung 6300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2219+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2219

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-001

Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2955-1G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-1G

auf Bestellung 4080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-1G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-1G

Description: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 42025 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-1G

auf Bestellung 42025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955-T4

09+

auf Bestellung 2477 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1725+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1725

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MJD2955G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD

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MJD2955G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.31 EUR
10+	1.28 EUR
75+	0.87 EUR
525+	0.6 EUR
1050+	0.55 EUR
1950+	0.54 EUR
5850+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.66 EUR
267+	0.52 EUR
275+	0.48 EUR
500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 217

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
75+	0.88 EUR
150+	0.8 EUR
525+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

202+	0.71 EUR
375+	0.62 EUR
750+	0.56 EUR
1125+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 202

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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126+	1.14 EUR
193+	0.71 EUR
204+	0.65 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR

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MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 1975 Stücke:

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193+	0.74 EUR
204+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 193

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MJD2955RLG

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V

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MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

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MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

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MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

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MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT

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MJD2955T4

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

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MJD2955T4

Trans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 2449 Stücke:

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10+	1.78 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4236 Stücke:

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1389+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1389

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

auf Bestellung 4863 Stücke:

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2+	1.49 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.51 EUR
2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 66631 Stücke:

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1389+	0.39 EUR

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MJD2955T4G

auf Bestellung 2200 Stücke:

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

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1389+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1389

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955T4G

SOP8

auf Bestellung 100000 Stücke:

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MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2884 Stücke:

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 104019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1389+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1389

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MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD2955T4G

auf Bestellung 109930 Stücke:

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MJD2955T4G

auf Bestellung 2219 Stücke:

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MJD2955TF

Description: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 746 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 460746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

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MJD2955TF

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MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1025+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1025

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MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD2955TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

auf Bestellung 5535 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD2955VT4

auf Bestellung 6210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD29C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD29C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

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MJD29CTF

Description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

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MJD29CTF

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD3055

Bipolar Transistors - BJT

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MJD3055

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD3055

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055

N/A

auf Bestellung 1721 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055G

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD3055G

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD3055G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD3055RLG

BIP DPAK NPN 10A 60V TR

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MJD3055RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V

auf Bestellung 7923 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.56 EUR
1800+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 1768 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD3055RLG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 9248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
12+	1.52 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 3968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD3055T4

MJD3055T4 NPN SMD transistors

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MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.72 EUR
5000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD3055T4 (транзистор биполярный NPN)
Produktcode: 171011

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MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G

auf Bestellung 15000 Stücke:

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2500+	0.52 EUR
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7500+	0.46 EUR
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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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163+	0.88 EUR
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MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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MJD3055T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

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10+	1.03 EUR
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500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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5000+	0.36 EUR
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Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.42 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.5 EUR

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MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 305 Stücke:

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MJD3055T4G

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9+	2.01 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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339+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 339

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MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055T4G*************

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD3055TF

auf Bestellung 38000 Stücke:

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MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD3055TF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 9881 Stücke:

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MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

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MJD30CTF

auf Bestellung 2500 Stücke:

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MJD31

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

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MJD31

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31B

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31BT4

07+ TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31BT4

TO-252

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31C

YZPST

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 75

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MJD31C

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

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MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

07+ TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31C

JSMicro Semiconductor

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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MJD31C

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD31C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

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MJD31C

TO-252

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR
7500+	0.12 EUR
12500+	0.11 EUR
25000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

auf Bestellung 6660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.19 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR
2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD31C-13

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.14 EUR
5000+	0.13 EUR
7500+	0.12 EUR
12500+	0.11 EUR
25000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31C-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 4616 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
26+	0.7 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-13

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-13

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-ITU

auf Bestellung 20150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C-TP

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31C-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31C-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

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MJD31C1

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1151+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31C1G

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31C1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CAJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

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MJD31CAJ

Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CAJ

Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT

auf Bestellung 14012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.09 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR
2500+	0.26 EUR
5000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CAJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CAJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1565 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.06 EUR
28+	0.65 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CAJ

auf Bestellung 1717 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CEITU

MJD31CEITU

auf Bestellung 2857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

902+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 902

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CEITU

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2857 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

781+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 781

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MJD31CEITU

Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CEITU

MJD31CEITU

auf Bestellung 5040 Stücke:

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902+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

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MJD31CEITU

MJD31CEITU

auf Bestellung 5040 Stücke:

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902+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

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MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CETF

Description: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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MJD31CETF

Bipolar Transistors - BJT

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MJD31CETF

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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MJD31CETF_SN00207

Bipolar Transistors - BJT

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MJD31CG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 7848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.02 EUR
213+	0.65 EUR
219+	0.61 EUR
525+	0.51 EUR
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MJD31CG
Produktcode: 117657

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MJD31CG

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.32 EUR
68+	1.07 EUR
82+	0.87 EUR
121+	0.59 EUR
128+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 6374 Stücke:

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 1575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.06 EUR
525+	0.86 EUR
1050+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 150

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MJD31CG

auf Bestellung 742 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.32 EUR
68+	1.07 EUR
82+	0.87 EUR
121+	0.59 EUR
128+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 55

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MJD31CG

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2809 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 143 Stücke:

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2+	2.16 EUR
10+	0.99 EUR
75+	0.88 EUR
525+	0.75 EUR
1050+	0.65 EUR
2550+	0.6 EUR
3375+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

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MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 7860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	1.01 EUR
214+	0.64 EUR
220+	0.6 EUR
525+	0.51 EUR
1050+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 141

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MJD31CH-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T and R 2.5K

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MJD31CH-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.21 EUR
5000+	0.2 EUR

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MJD31CH-13

NPN Medium Power Transistor

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MJD31CH-QJ

Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT

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MJD31CH-QJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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MJD31CH-QJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1409 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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MJD31CH-QJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHE3-TP

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHE3-TP

Silicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHE3-TP

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHE3-TP

MJD31CHE3-TP

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MJD31CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

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MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
24+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T and R 2.5K

auf Bestellung 1607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.36 EUR
2500+	0.31 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

MJD31CITU

auf Bestellung 5050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1521+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1521

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1478 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

MJD31CITU

auf Bestellung 4760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1521+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 1521

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

MJD31CITU

auf Bestellung 19620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1521+	0.35 EUR
10000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1521

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 30954 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1214+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1214

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3955 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

833+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 833

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

548+	0.26 EUR
1000+	0.21 EUR
2500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 548

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

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MJD31CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

548+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 548

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 6730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1.02 EUR
29+	0.63 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

auf Bestellung 3955 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CJ

Bipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT

auf Bestellung 9692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.23 EUR
5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CQ-13

Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 3663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.51 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
2500+	0.41 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CQ-13

auf Bestellung 1445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CQ-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CQ-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CRL

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CRL

SOT252/2.5

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 5889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.25 EUR
10+	1.42 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.62 EUR
1800+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.84 EUR
124+	1.12 EUR
200+	1.07 EUR
500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 90

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CRLG

auf Bestellung 3212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

753+	0.71 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 753

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 6087 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.59 EUR
3600+	0.55 EUR
5400+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD31CS-TP

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

649+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 649

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MJD31CS-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CS-TP

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.07 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CS-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

auf Bestellung 2238 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

44+	1.64 EUR
62+	1.17 EUR
69+	1.05 EUR
89+	0.81 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.51 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

auf Bestellung 2721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR
2500+	0.54 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.54 EUR
5000+	0.5 EUR
7500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

auf Bestellung 2238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	1.64 EUR
62+	1.17 EUR
69+	1.05 EUR
89+	0.81 EUR
290+	0.25 EUR
305+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 44

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1268 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

ON-Semicoductor

Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 47500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 7504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1841 Stücke:

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MJD31CT4-A

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 3675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.22 EUR
7500+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR
17500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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MJD31CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

auf Bestellung 3785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.78 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR
2500+	0.31 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR
5000+	0.24 EUR
7500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 461500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.3 EUR
7500+	0.29 EUR
12500+	0.27 EUR
17500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

453+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 453

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MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 26269 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.39 EUR
2500+	0.32 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 6820 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1793 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 147500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CT4G

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MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR
5000+	0.26 EUR
7500+	0.25 EUR
10000+	0.24 EUR
25000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4G

auf Bestellung 5168 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 462181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.34 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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MJD31CT4G

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MJD31CT4GMJD32CG

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31CT4GN

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR

auf Bestellung 1745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.5 EUR
2500+	0.42 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD31CT4GN

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CT4GOS

Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CTF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CTF

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD31CTF

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CTF-FS

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31CTF_NBDD001

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CTF_SBDD001A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CUQ-13

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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MJD31CUQ-13

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MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
18+	1 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T and R 2.5K

auf Bestellung 2544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.68 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.43 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31G

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD31T4

Description: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4

Description: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1402+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1402

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4/J31

auf Bestellung 33050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN

auf Bestellung 2911 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.26 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31T4G

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	0.83 EUR
173+	0.8 EUR
175+	0.76 EUR
177+	0.72 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1473 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.83 EUR
175+	0.79 EUR
177+	0.75 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 173

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 3274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

184+	0.78 EUR
205+	0.67 EUR
247+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 184

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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205+	0.7 EUR
247+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.39 EUR
5000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 205

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MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR

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MJD32

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MJD32B

TO-252

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MJD32BT4

TO-252

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MJD32BT4

07+ TO-252

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MJD32C

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

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MJD32C

07+ TO-252

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MJD32C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

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MJD32C

MOT

SOT252/2.5

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MJD32C

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MJD32C

TO-252

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MJD32C
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MJD32C

Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A

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MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2950 Stücke:

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13+	1.43 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

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MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT

auf Bestellung 2297 Stücke:

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2+	1.44 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR
2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-13

MJD32C-13 PNP SMD transistors

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MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

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MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

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MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD32C-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.66 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD32C/J32C

MOTO

auf Bestellung 1240 Stücke:

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MJD32C1

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1402+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1402

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MJD32C1

auf Bestellung 17070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD32C1

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1196+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1196

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MJD32C1

Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD32CA

Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CA

Array

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MJD32CA

auf Bestellung 440 Stücke:

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MJD32CAJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

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MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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MJD32CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK

auf Bestellung 3648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.02 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR
2500+	0.29 EUR
5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD32CAJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
23+	0.77 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CAJ
Produktcode: 191470

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CAJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.28 EUR
7500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 72475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2081+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2081

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 4575 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

342+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 342

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

342+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 342

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 1914 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 217

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 3253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

47+	1.52 EUR
100+	0.72 EUR
1200+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 47

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MJD32CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 3590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.47 EUR
75+	0.54 EUR
525+	0.48 EUR
1050+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 16863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
75+	0.66 EUR
150+	0.59 EUR
525+	0.48 EUR
1050+	0.44 EUR
2025+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

auf Bestellung 1933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.87 EUR
301+	0.46 EUR
326+	0.41 EUR
525+	0.36 EUR
1050+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 165

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CG

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 47

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MJD32CG
Produktcode: 117659

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MJD32CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT

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MJD32CHE3-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

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MJD32CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 46900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2430+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2430

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 4508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
26+	0.68 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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MJD32CJ

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 667400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2430+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2430

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MJD32CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK

auf Bestellung 4752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.87 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.28 EUR
2500+	0.22 EUR
10000+	0.19 EUR
25000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

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MJD32CJ

auf Bestellung 1117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 2108 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.46 EUR
2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 543 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

461+	0.34 EUR
500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 461

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MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
18+	1.02 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CQ-13

MJD32CQ-13 PNP SMD transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MJD32CR

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD32CRL

MOTOROLA

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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MJD32CRL

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

auf Bestellung 949 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.14 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.71 EUR
1800+	0.6 EUR
3600+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

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MJD32CRLG

Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

256+	0.56 EUR
260+	0.53 EUR
264+	0.5 EUR
268+	0.48 EUR
272+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 256

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 76025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.31 EUR
13+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3135 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

260+	0.55 EUR
264+	0.52 EUR
268+	0.5 EUR
272+	0.47 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 260

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

275+	0.52 EUR
279+	0.49 EUR
295+	0.45 EUR
500+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 275

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

auf Bestellung 5895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 75600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	0.64 EUR
3600+	0.59 EUR
5400+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.45 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

63+	1.14 EUR
98+	0.73 EUR
327+	0.22 EUR
345+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD32CT4