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MJD122G

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Produktcode: 165785
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MJD122G MJD122G On Semiconductor MJD122-D.pdf NPN Darl. DPAK Транзистори
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MJD122G MJD122G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
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MJD122G MJD122G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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MJD122G MJD122G ONSEMI ONSM-S-A0014930272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJD122G MJD122G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD122G
Hersteller: On Semiconductor
NPN Darl. DPAK Транзистори
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 12525 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD122G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
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MJD122G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD122G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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