MJD210RLG ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD210RLG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD210RLG MJD210RLG ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210RLG MJD210RLG ONSEMI ONSM-S-A0013776859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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242+0.96 EUR
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MJD210RLG MJD210RLG onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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MJD210RLG MJD210RLG ONSEMI ONSM-S-A0013776859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD210RLG MJD210RLG onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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MJD210RLG MJD210RLG ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210RLG Aptina Imaging mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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174+1.34 EUR
262+0.82 EUR
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1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 232 Stücke:
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10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.48 EUR
1800+0.43 EUR
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Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
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