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MJD253T4G

MJD253T4G onsemi

mjd243-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details MJD253T4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Power - Max: 1.4 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD253T4G MJD253T4G onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 13303 Stücke:
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MJD253T4G MJD253T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
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100+0.52 EUR
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2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
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Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
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