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MJD253T4G

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Produktcode: 172039
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
362+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 362
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 13303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+0.73 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 10911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.28 EUR
23+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD253T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD253T4G MJD253T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD253T4G Hersteller : On Semiconductor MJD243-D.pdf PNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MJD253T4G Hersteller : Diodes Incorporated mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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