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MJD122T4

MJD122T4 STMicroelectronics

mjd122.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD122T4 STMicroelectronics

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A219125780D2&compId=mjd122.pdf?ci_sign=a6d5a0d1642c1be818ff80af5a786463f3ded430 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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78+0.93 EUR
240+0.30 EUR
254+0.28 EUR
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Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
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MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30180
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Hersteller : ON MJD122T4.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000829.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122-1849838.pdf Darlington Transistors NPN Power Darlington
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MJD122T4 Hersteller : ST en.CD00000829.pdf mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
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MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00000829.pdf mjd122-d.pdf NPN Darl. DPAK TO-252-3
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
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