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MJD122T4 (Bipolartransistor NPN)

MJD122T4 (Bipolartransistor NPN) ON

MJD122T4.pdf
Produktcode: 30180
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Hersteller: ON
Gehäuse: DPAK
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 8
h21: 5000
Bem.: Darlington
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1192500 Stücke:
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2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
17500+0.22 EUR
25000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.44 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.39 EUR
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...1000
auf Bestellung 2818 Stücke:
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61+1.19 EUR
93+0.77 EUR
107+0.67 EUR
143+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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17+1.07 EUR
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500+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Darlington Transistors NPN Power Darlington
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100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.42 EUR
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STM mjd122-mjd127.pdf NPN Darl. DPAK TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MJD122T4 MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4 Hersteller : ST mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100
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MJD122T4 Hersteller : ST mjd122t4.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
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MJD122T4 Hersteller : STMicroelectronics MJD122_127.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Р, Вт = 20 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DP
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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