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MJD243T4G ON Semiconductor

Name: MJD243T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 27450260-5
Price: 1025 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJD243T4G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.90 EUR

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

MJD243T4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

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2500+	0.49 EUR
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MJD243T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD243T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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217+	0.69 EUR
275+	0.52 EUR
278+	0.50 EUR
500+	0.40 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.30 EUR

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MJD243T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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171+	0.88 EUR
215+	0.67 EUR
217+	0.64 EUR
275+	0.49 EUR
278+	0.46 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.32 EUR
3000+	0.29 EUR

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MJD243T4G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

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Anzahl	Preis
3+	1.18 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.49 EUR
2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MJD243T4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

auf Bestellung 134174 Stücke:

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Anzahl	Preis
10+	1.90 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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MJD243T4G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2932 Stücke:

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MJD243T4G

Hersteller : ONSEMI

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MJD243T4G

Hersteller : ON Semiconductor

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MJD243T4G

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MJD243T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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