MJD243T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD243T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD243T4G nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.71 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD243T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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MJD243T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G Produktcode: 172041
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 177500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
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MJD243T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
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| MJD243T4G |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJD243T4G************* |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD243T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| MJD243T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 40...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz |
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