MJD243T4G
Produktcode: 172041
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Weitere Produktangebote MJD243T4G nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAKPower - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 177500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAKPower - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 177575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD243T4G |
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auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MJD243T4G************* |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 376+ | 0.46 EUR |
| 398+ | 0.44 EUR |
| 402+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 345+ | 0.51 EUR |
| 373+ | 0.45 EUR |
| 376+ | 0.44 EUR |
| 398+ | 0.39 EUR |
| 402+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 177500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| 7500+ | 0.45 EUR |
| 12500+ | 0.43 EUR |
| 17500+ | 0.42 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 177575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.01 EUR |
| 17+ | 1.25 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.03 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.49 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 171+ | 1.37 EUR |
| 248+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| MJD243T4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 171+ | 1.37 EUR |
| 248+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| MJD243T4G |
![]() |
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| MJD243T4G************* |
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




