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MJD243T4G

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Produktcode: 172041
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
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Anzahl Preis
376+0.38 EUR
398+0.35 EUR
402+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1817 Stücke:
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345+0.42 EUR
373+0.37 EUR
376+0.36 EUR
398+0.32 EUR
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500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 345
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 177500 Stücke:
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2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.38 EUR
12500+0.36 EUR
17500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 177575 Stücke:
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11+1.69 EUR
17+1.05 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 3001 Stücke:
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2+1.71 EUR
10+0.91 EUR
100+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD243T4G mjd243-d.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD243T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD243T4G MJD243T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD243T4G Hersteller : On Semiconductor MJD243-D.pdf NPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD253T4) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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