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MJD200T4G

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Produktcode: 132801
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD200T4G MJD200T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MJD200T4G MJD200T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD200T4G MJD200T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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MJD200T4G MJD200T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD200T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf
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MJD200T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.63 EUR
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100+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MJD200T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 7172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.4 EUR
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MJD200T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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MJD200T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+1.8 EUR
218+1.07 EUR
379+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4G*************
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD200T4G mjd200-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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