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MJD200T4G

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Produktcode: 132801
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MJD200T4G MJD200T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJD200T4G MJD200T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.45 EUR
10+0.9 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD200T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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MJD200T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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Anzahl Preis
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10+0.9 EUR
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2500+0.34 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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