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MJD200T4G

MJD200T4G onsemi

mjd200-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details MJD200T4G onsemi

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Power - Max: 1.4 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 65MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD200T4G MJD200T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.4 EUR
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MJD200T4G*************
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