MJD122-1 STMicroelectronics
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Technische Details MJD122-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 20W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MJD122-1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.38 EUR
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MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector |
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MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
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MJD122-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 20W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| MJD122-1 |
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MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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MJD122-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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