Technische Details MJD31CTF
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount.
Weitere Produktangebote MJD31CTF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD31CTF | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD31CTF |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

