Produkte > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > MJD31CEITU
MJD31CEITU

MJD31CEITU Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
649+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 649
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD31CEITU Fairchild Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.

Weitere Produktangebote MJD31CEITU nach Preis ab 0.54 EUR bis 0.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD31CEITU Hersteller : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU Hersteller : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU Hersteller : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
902+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU Hersteller : ON Semiconductor mjd31ce-d.pdf NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU Hersteller : onsemi MJD31C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH