MJD2955G

MJD2955G ON Semiconductor


mjd2955-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details MJD2955G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.

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MJD2955G MJD2955G Hersteller : onsemi MJD2955_D-2315918.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
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MJD2955G MJD2955G Hersteller : onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
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Power - Max: 1.75 W
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MJD2955G MJD2955G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FCC5C1860680D6&compId=MJD2955_MJD3055.PDF?ci_sign=a682b3aa15c14fffc0e25edb06800ae419504f3e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
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