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MJD200G

MJD200G onsemi


MJD200_D-2315968.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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Technische Details MJD200G onsemi

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.4 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD200G MJD200G Hersteller : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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MJD200G MJD200G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD200G Hersteller : ON mjd200-d.pdf 07+;
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