MJD32CRLG ON Semiconductor
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Technische Details MJD32CRLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD32, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MJD32CRLG nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MJD32CRLG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD32CRLG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD32CRLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 21600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD32CRLG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD32CRLG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD32CRLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 23381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD32CRLG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP |
auf Bestellung 2787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD32CRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD32CRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD32 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD32CRLG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 253+ | 0.69 EUR |
| 273+ | 0.63 EUR |
| 279+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 0.75 EUR |
| 253+ | 0.65 EUR |
| 273+ | 0.58 EUR |
| 279+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 21600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1800+ | 0.75 EUR |
| 3600+ | 0.69 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.14 EUR |
| 120+ | 1.46 EUR |
| 171+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 2.21 EUR |
| 116+ | 1.48 EUR |
| 166+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 23381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.68 EUR |
| 13+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.7 EUR |
| 10+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 3600+ | 0.69 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 123+ | 1.89 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| MJD32CRLG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.22 EUR |
| 123+ | 1.89 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |





