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MJD122T4G

MJD122T4G ON Semiconductor

mjd122-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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Technische Details MJD122T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
70+1.04 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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96+1.55 EUR
125+1.15 EUR
130+1.06 EUR
183+0.72 EUR
250+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 96
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
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2+1.94 EUR
10+1.39 EUR
25+1.32 EUR
100+0.95 EUR
250+0.94 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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9+2.11 EUR
14+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ONSEMI mjd122-d.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14316 Stücke:
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14316 Stücke:
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MJD122T4G MJD122T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD122T4G Hersteller : ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+4.22 EUR
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MJD122T4G*************
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD122T4G Hersteller : ON-Semicoductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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