MJD122T4G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.54 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 7500+ | 0.48 EUR |
| 12500+ | 0.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJD122T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MJD122T4G nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 300 Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 38937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD122T4G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 16226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| MJD122T4G | Hersteller : ON-Semiconductor |
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MJD122T4G************* |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
|
|
MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| MJD122T4G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN Darl. DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзис Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |