MJD122T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD122T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MJD122T4G nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD122T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD122T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD122T4G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 3966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD122T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 38937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD122T4G | Hersteller : ON-Semiconductor |
darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
MJD122T4G NPN SMD Darlington transistors |
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| MJD122T4G************* |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJD122T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD122T4G - TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO-252-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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