MJD117T4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD117T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MJD117T4 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 200...12000 Mounting: SMD Frequency: 25MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 200...12000 Mounting: SMD Frequency: 25MHz |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Darlington Transistors PNP Power Darlington |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
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MJD117T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD117T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
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