MJD31CT4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD31CT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MJD31CT4 nach Preis ab 0.2 EUR bis 2.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 1901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
auf Bestellung 12005 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJD31CT4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJD31CT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD31CT4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD31CT4 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 15 W |
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