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MJD31CT4

MJD31CT4 STMicroelectronics

cd0000083.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details MJD31CT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics cd0000083.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31ct4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
63+1.37 EUR
73+1.18 EUR
120+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 6332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD31CT4 MJD31CT4 STMICROELECTRONICS 2307323.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
137+1.69 EUR
208+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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MJD31CT4 ON-Semiconductor mjd31c.html Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 7500 Stücke:
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MJD31CT4
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Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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73+1.18 EUR
120+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
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8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1364 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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137+1.69 EUR
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500+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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Hersteller: ON-Semiconductor
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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