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MJD31CUQ-13 Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details MJD31CUQ-13 Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.6 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote MJD31CUQ-13 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Zetex mjd31cuq.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated MJD31CUQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
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MJD31CUQ-13 MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated MJD31CUQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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