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MJD32CG

MJD32CG ON Semiconductor

mjd31d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2020 Stücke:
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Technische Details MJD32CG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : onsemi MJD31-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
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75+0.6 EUR
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11224 Stücke:
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Anzahl Preis
11+1.74 EUR
75+0.76 EUR
150+0.67 EUR
525+0.56 EUR
1050+0.5 EUR
2025+0.46 EUR
5025+0.42 EUR
10050+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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74+1.94 EUR
170+0.81 EUR
191+0.7 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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MJD32CG MJD32CG
Produktcode: 117659
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