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MJD32CG

MJD32CG ON Semiconductor

mjd31d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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Technische Details MJD32CG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999E55828DB8BD820&compId=MJD31_MJD32.pdf?ci_sign=a4f587ef1f40b50a74314f0e1756618c1b232ad1 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
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Anzahl Preis
105+0.69 EUR
116+0.62 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
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525+0.37 EUR
1050+0.33 EUR
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
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Mindestbestellmenge: 2
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 16863 Stücke:
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Anzahl Preis
12+1.53 EUR
75+0.66 EUR
150+0.59 EUR
525+0.48 EUR
1050+0.44 EUR
2025+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD32CG MJD32CG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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