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MJD32CQ-13

MJD32CQ-13 Diodes Zetex

mjd32cq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details MJD32CQ-13 Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W, Qualification: AEC-Q101.

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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : Diodes Zetex mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated MJD32CQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated MJD32CQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : Diodes Inc 542mjd32cq.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986ACEAA3C96A58BF&compId=MJD32C.pdf?ci_sign=3e2e24b77149592cca1dedb234fa528d800add07 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated MJD32CQ.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
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MJD32CQ-13 MJD32CQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986ACEAA3C96A58BF&compId=MJD32C.pdf?ci_sign=3e2e24b77149592cca1dedb234fa528d800add07 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
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