MJD127G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 239+ | 0.61 EUR |
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Technische Details MJD127G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD127G nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 100...12000 Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD127G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Current gain: 100...12000 Frequency: 4MHz |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD127G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
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MJD127G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD127G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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MJD127G Produktcode: 50655
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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