MJD243G ON Semiconductor
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Technische Details MJD243G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD243G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD243G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD243G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
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MJD243G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
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MJD243G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G Produktcode: 133000 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
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| MJD243G | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |