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MJD243G

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Produktcode: 133000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
525+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
525+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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MJD243G MJD243G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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MJD243G MJD243G onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.64 EUR
75+0.71 EUR
525+0.63 EUR
1050+0.56 EUR
2550+0.54 EUR
4950+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD243G MJD243G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 14656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
75+1.09 EUR
150+0.98 EUR
525+0.81 EUR
1050+0.73 EUR
2025+0.67 EUR
5025+0.61 EUR
10050+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJD243G MJD243G ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
147+1.58 EUR
244+0.88 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MJD243G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 825 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
208+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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MJD243G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MJD243G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 562 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.64 EUR
75+0.71 EUR
525+0.63 EUR
1050+0.56 EUR
2550+0.54 EUR
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MJD243G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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150+0.98 EUR
525+0.81 EUR
1050+0.73 EUR
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MJD243G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+3 EUR
147+1.58 EUR
244+0.88 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH