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MJD243G

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Produktcode: 133000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD243G MJD243G onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.38 EUR
75+0.6 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2550+0.45 EUR
4950+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD243G MJD243G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 14656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
75+0.92 EUR
150+0.82 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
5025+0.51 EUR
10050+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MJD243G MJD243-D.PDF
MJD243G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
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MJD243G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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