MJD243G
Produktcode: 133000
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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MJD243G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 3386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
auf Bestellung 4122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD243G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MJD243G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD243G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 1.06 EUR |
| 150+ | 0.95 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 1.63 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 1.63 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 1.74 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 103+ | 1.74 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.96 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| 75+ | 0.7 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.59 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 202+ | 1.06 EUR |
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJD243G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)