MJD210T4G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1711+ | 0.32 EUR |
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Technische Details MJD210T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MJD210T4G nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 31500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP |
auf Bestellung 11998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
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MJD210T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD210T4G************* |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJD210T4G | Hersteller : ON |
07+; |
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MJD210T4G Produktcode: 132802
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MJD210T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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