MJD210T4G


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Produktcode: 132802
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3833 Stücke:
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 27500 Stücke:
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2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.29 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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275+0.53 EUR
353+0.4 EUR
357+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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222+0.65 EUR
274+0.51 EUR
275+0.49 EUR
353+0.37 EUR
357+0.35 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 222
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 28872 Stücke:
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13+1.43 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 3548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.51 EUR
10+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210T4G*************
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210T4G Hersteller : ON mjd200-d.pdf 07+;
auf Bestellung 9675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210T4G MJD210T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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