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MJD210T4G

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Produktcode: 132802
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.56 EUR
382+0.46 EUR
386+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
316+0.55 EUR
319+0.52 EUR
382+0.42 EUR
386+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.81 EUR
307+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.2 EUR
214+0.8 EUR
297+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 15835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 3479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.65 EUR
100+1.02 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJD210T4G*************
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD210T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD210T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
319+0.56 EUR
382+0.46 EUR
386+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
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MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
266+0.67 EUR
316+0.55 EUR
319+0.52 EUR
382+0.42 EUR
386+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+0.81 EUR
307+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.2 EUR
214+0.8 EUR
297+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 15835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 3479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.31 EUR
10+1.65 EUR
100+1.02 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD210T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210T4G*************
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH