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MJD210T4G

MJD210T4G ON Semiconductor

mjd200-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD210T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27500 Stücke:
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2500+0.43 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.37 EUR
12500+0.36 EUR
17500+0.35 EUR
25000+0.33 EUR
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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353+0.49 EUR
357+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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274+0.62 EUR
275+0.6 EUR
353+0.44 EUR
357+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
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MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
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MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
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MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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13+1.7 EUR
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MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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5000+0.39 EUR
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MJD210T4G ON mjd200-d.pdf 07+;
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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5000+0.39 EUR
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17500+0.35 EUR
25000+0.33 EUR
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AnzahlPrivatkunde
275+0.64 EUR
353+0.49 EUR
357+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
222+0.8 EUR
274+0.62 EUR
275+0.6 EUR
353+0.44 EUR
357+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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MJD210T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2975 Stücke:
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220+1.14 EUR
261+0.89 EUR
321+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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MJD210T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
239+0.98 EUR
334+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJD210T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MJD210T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 3548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.8 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: ON
07+;
auf Bestellung 9675 Stücke:
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