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MJD18002D2T4


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Technische Details MJD18002D2T4

NPN, Uкэ=1000V, Iк=2A, h21=4...25, 13МГц, 50Вт, DPAK (SMD) Транзистори.

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MJD18002D2T4 On Semiconductor MJD18002D2-D.pdf NPN, Uкэ=1000V, Iк=2A, h21=4...25, 13МГц, 50Вт, DPAK (SMD) Транзистори
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