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MJD350T4G (NPN-Bipolartransistor)

MJD350T4G (NPN-Bipolartransistor) ON

mjd340-d-112116.pdf
Produktcode: 37901
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Hersteller: ON
Gehäuse: D-Pak
Transitfrequenz fT: 10 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD350T4G MJD350T4G ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.44 EUR
7500+0.42 EUR
12500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD350T4G MJD350T4G ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
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2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.43 EUR
12500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G onsemi mjd340-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 40000 Stücke:
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2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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286+0.61 EUR
289+0.6 EUR
327+0.51 EUR
329+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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258+0.68 EUR
286+0.58 EUR
289+0.56 EUR
327+0.48 EUR
329+0.45 EUR
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1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G onsemi mjd340-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD350T4G MJD350T4G onsemi mjd340-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 41567 Stücke:
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MJD350T4G MJD350T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
154+1.51 EUR
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MJD350T4G MJD350T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 771 Stücke:
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MJD350T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
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MJD350T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 40000 Stücke:
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MJD350T4G
Hersteller: ON Semiconductor
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289+0.6 EUR
327+0.51 EUR
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MJD350T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD350T4G
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Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
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MJD350T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
auf Bestellung 16275 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MJD350T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
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100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
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MJD350T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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MJD350T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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