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MJD41CT4

MJD41CT4 onsemi


mjd41c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details MJD41CT4 onsemi

Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK, Power - Max: 20 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Cut Tape (CT).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD41CT4 MJD41CT4 onsemi MJD41C_D-2316115.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
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