MJD42CQ-13 Diodes Incorporated


MJD42CQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details MJD42CQ-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 100V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJD42CQ-13 MJD42CQ-13 Diodes Incorporated MJD42CQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
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10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
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Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
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