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MJD44E3T4G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
363+0.49 EUR
368+0.48 EUR
374+0.45 EUR
500+0.44 EUR
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Technische Details MJD44E3T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJD44E3T4G nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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357+0.48 EUR
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368+0.43 EUR
374+0.4 EUR
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MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.45 EUR
12500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15981 Stücke:
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17+1.25 EUR
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500+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
auf Bestellung 17116 Stücke:
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2+2.12 EUR
10+1.07 EUR
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500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 682 Stücke:
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95+2.65 EUR
170+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
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Power - Max: 1.75 W
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Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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17+1.25 EUR
100+0.82 EUR
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Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
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AnzahlPrivatkunde
2+2.12 EUR
10+1.07 EUR
100+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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