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MJD44H11-1G (NPN-Bipolartransistor)

Produktcode: 31169
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.06 EUR
525+0.84 EUR
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
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106+1.63 EUR
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.64 EUR
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 18058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.09 EUR
75+0.95 EUR
525+0.76 EUR
1050+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ONSEMI MJD44H11-D.PDF description Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
228+1.02 EUR
256+0.83 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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MJD44H11-1G ONN mjd44h11-d.pdf description
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MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
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MJD44H11-1G
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MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ONN
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