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MJD44H11-1G (NPN-Bipolartransistor)

Produktcode: 31169
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.69 EUR
525+0.63 EUR
1050+0.56 EUR
2550+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ONSEMI MJD44H11-D.PDF description Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.4 EUR
258+0.9 EUR
281+0.76 EUR
525+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.67 EUR
160+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
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106+1.67 EUR
159+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 10624 Stücke:
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2+2.12 EUR
10+0.92 EUR
75+0.81 EUR
525+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11-1G ONN mjd44h11-d.pdf description
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MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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MJD44H11-1G description MJD44H11-D.PDF
MJD44H11-1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
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MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
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MJD44H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 188 Stücke:
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MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11-1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 10624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+2.12 EUR
10+0.92 EUR
75+0.81 EUR
525+0.67 EUR
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MJD44H11-1G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ONN
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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