MJD44H11T4-A STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD44H11T4-A STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote MJD44H11T4-A nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.27 EUR
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD44H11T4-A | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
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