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MJD44H11TM

MJD44H11TM ON Semiconductor / Fairchild

MJD44H11-1121083.pdf
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Technische Details MJD44H11TM ON Semiconductor / Fairchild

Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44H11TM Fairchild/ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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MJD44H11TM MJD44H11TM onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MJD44H11TM ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 4 А. 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш
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MJD44H11TM
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
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