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MJD45H11RLG

MJD45H11RLG ON Semiconductor

mjd44h11d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details MJD45H11RLG ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.

Weitere Produktangebote MJD45H11RLG nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD45H11RLG MJD45H11RLG ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.76 EUR
233+0.75 EUR
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MJD45H11RLG MJD45H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.76 EUR
3600+0.7 EUR
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auf Bestellung 720 Stücke:
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230+0.74 EUR
233+0.7 EUR
249+0.63 EUR
250+0.61 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
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auf Bestellung 1800 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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auf Bestellung 4750 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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auf Bestellung 10800 Stücke:
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auf Bestellung 1035 Stücke:
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10638 Stücke:
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8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
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MJD45H11RLG MJD45H11RLG onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
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10+1.73 EUR
100+1.23 EUR
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Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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AnzahlPrivatkunde
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2+2.92 EUR
10+1.73 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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