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MJD45H11T4

MJD45H11T4

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Produktcode: 89434
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+0.71 EUR
250+0.69 EUR
254+0.67 EUR
258+0.64 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics MJD44H11_MJD45H11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.45 EUR
95+0.9 EUR
137+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics mjd45h11t4.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.15 EUR
130+1.31 EUR
198+0.83 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD45H11T4 MJD45H11T4 STMICROELECTRONICS 2307457.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
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MJD45H11T4 mjd45h11t4.pdf
MJD45H11T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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250+0.69 EUR
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MJD45H11T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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