MJD45H11T4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD45H11T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MJD45H11T4 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.99 EUR
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4 Produktcode: 89434
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| MJD45H11T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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