MJE13005G ON Semiconductor
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to +150C). Pb-Free... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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Technische Details MJE13005G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MJE13005G | On Semiconductor |
 Транзистори |
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MJE13005G | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
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MJE13005G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN |
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| MJE13005G | |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
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Part Status: Obsolete
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
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