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MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE13007G MJE13007G ON Semiconductor mje13007d.pdf description Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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131+1.07 EUR
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MJE13007G MJE13007G ONSEMI MJE13007G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
auf Bestellung 270 Stücke:
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MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
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1+3.4 EUR
10+2.01 EUR
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MJE13007G MJE13007G onsemi mje13007-d.pdf description Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 5646 Stücke:
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5+4.05 EUR
50+1.99 EUR
100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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MJE13007G MJE13007G ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2247 Stücke:
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MJE13007G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 698 Stücke:
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Anzahl Preis
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301+0.46 EUR
307+0.44 EUR
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MJE13007G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
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177+0.79 EUR
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MJE13007G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
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170+0.85 EUR
177+0.81 EUR
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Anzahl Preis
130+1.12 EUR
131+1.07 EUR
141+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 130
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MJE13007G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE13007G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
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78+1.85 EUR
250+1.34 EUR
1000+1.29 EUR
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MJE13007G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
58+1.24 EUR
84+0.86 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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MJE13007G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
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MJE13007G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
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5+4.05 EUR
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100+1.79 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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MJE13007G description ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE13007G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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