MJE15028G

MJE15028G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE15028G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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MJE15028G MJE15028G onsemi mje15028-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
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MJE15028G MJE15028G onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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