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MJE15029G

MJE15029G ONSEMI

MJE15031G.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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Technische Details MJE15029G ONSEMI

Description: TRANS PNP 120V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 50 W.

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MJE15029G MJE15029G Hersteller : ONSEMI MJE15031G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : onsemi MJE15028_D-2315691.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 50W
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 30MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15029G Hersteller : ONS mje15028-d.pdf Транзистор біполярний TO220-3 PNP 8A 120V
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MJE15029G MJE15029G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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