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MJE15029G

MJE15029G ON Semiconductor

mje15028d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE15029G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220, Power - Max: 50 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE15029G MJE15029G ON Semiconductor mje15028d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15029G MJE15029G ON Semiconductor mje15028d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15029G MJE15029G ONSEMI MJE15031G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15029G MJE15029G onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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5+5.01 EUR
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MJE15029G MJE15029G onsemi mje15028-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
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MJE15029G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15029G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
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