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MJE15030G

MJE15030G ON Semiconductor

mje15028-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE15030G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 50 W.

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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI MJE15030G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI MJE15030G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : onsemi MJE15028_D-2315691.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJE15030G
Produktcode: 154352 		mje15028-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MJE15030G
Produktcode: 180441 		mje15028-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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