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MJE15030G

MJE15030G ON Semiconductor

mje15028d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details MJE15030G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0C6A07FA6E469&compId=MJE15030G.PDF?ci_sign=82e8371efcf0d7d5f7beb072422213894b0843b3 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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43+1.69 EUR
47+1.53 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0C6A07FA6E469&compId=MJE15030G.PDF?ci_sign=82e8371efcf0d7d5f7beb072422213894b0843b3 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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69+2.14 EUR
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500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : onsemi mje15028-d.pdf Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 876 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 6
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ON Semiconductor mje15028-d.pdf Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5151 Stücke:
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MJE15030G
Produktcode: 154352
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MJE15030G
Produktcode: 180441
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MJE15030G MJE15030G Hersteller : onsemi MJE15028_D-1811617.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
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