MJE15030G
Produktcode: 154352
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 7750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN |
auf Bestellung 7428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W |
auf Bestellung 3078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G Produktcode: 180441
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
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| MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. ви Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |