MJE15030G
Produktcode: 154352
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote MJE15030G nach Preis ab 1.42 EUR bis 5.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE15030G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Collector-emitter voltage: 150V Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: tube Case: TO220AB Frequency: 30MHz Collector current: 8A Mounting: THT |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN |
auf Bestellung 6465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | onsemi |
Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W |
auf Bestellung 3354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
MJE15030G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 150V
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector current: 8A
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 150V
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector current: 8A
Mounting: THT
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 2.46 EUR |
| 61+ | 1.42 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.5 EUR |
| 250+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| 2500+ | 1.54 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.63 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
auf Bestellung 6465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.27 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.72 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.38 EUR |
| 50+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| 2000+ | 1.67 EUR |
| MJE15030G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





