MJE15030G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 38+ | 1.89 EUR |
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Technische Details MJE15030G ONSEMI
Description: TRANS NPN 150V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 50 W.
Weitere Produktangebote MJE15030G nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN |
auf Bestellung 5226 Stücke: Lieferzeit 112-126 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 50W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 30MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 8A |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G Produktcode: 180441 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 150V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W |
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MJE15030G Produktcode: 154352 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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