MJE15032G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 107+ | 1.34 EUR |
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Technische Details MJE15032G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MJE15032G nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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MJE15032G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15032G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15032G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W |
auf Bestellung 3265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15032G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN |
auf Bestellung 13318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15032G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15032G (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 28060
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 250 Ucbo,V: 250 Ic,A: 8 h21: 70 ZCODE: THT |
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MJE15032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE15032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| MJE15032G | Hersteller : On Semiconductor |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| MJE15032G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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