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MJE15032G (Bipolartransistor NPN)

MJE15032G (Bipolartransistor NPN) ON

MJE15032,15033.pdf
Produktcode: 28060
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : onsemi MJE15032_D-2315972.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI MJE15033.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI MJE15033.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Produktcode: 27993		 MJE15032,15033.pdf
MJE15033G
Hersteller: ON
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Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
U, V: 250
U, V: 250
I, А: 8
h21,max: 70
auf Bestellung 51 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+ 0.84 EUR
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Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 65
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1321 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.06 EUR
100+ 0.025 EUR
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Produktcode: 31024		 2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
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10+ 0.045 EUR
2N5401
Produktcode: 177484		 2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
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Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1850 Stück:
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158		 BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 484 Stück
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100+ 0.09 EUR