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MJE15032G (Bipolartransistor NPN)

MJE15032G (Bipolartransistor NPN) ON

MJE15032,15033.pdf
Produktcode: 28060
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
auf Bestellung 8 Stück:
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0CF1D93C98469&compId=MJE15033.PDF?ci_sign=a046713cb04c38172a4485f4813086a2eec5d337 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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33+2.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 33
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0CF1D93C98469&compId=MJE15033.PDF?ci_sign=a046713cb04c38172a4485f4813086a2eec5d337 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Case: TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : onsemi MJE15032_D-1811441.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
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6+3.36 EUR
50+1.63 EUR
100+1.46 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJE15032G MJE15032G Hersteller : ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G Hersteller : Diodes Incorporated mje15032-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MJE15033G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
U, V: 250
U, V: 250
I, А: 8
h21,max: 70
auf Bestellung 40 Stück:
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BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158
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BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 62 Stück
50 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
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BC640
Produktcode: 3455
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BC636,638,640.pdf
BC640
Hersteller: MCC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 1.0
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 474 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.05 EUR
10+0.044 EUR
100+0.04 EUR
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4,7uF 100V ENR 8x12mm (ENR4R7M2AB-Hitano)
Produktcode: 15854
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ENR_080611.pdf
4,7uF 100V ENR 8x12mm (ENR4R7M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 100V
Reihe: ENR-unpolare
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8318 Stück
117 Stück - stock Köln
8201 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.039 EUR
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BC556B
Produktcode: 16889
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BC556,BC557.pdf
BC556B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 65
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 799 Stück
120 Stück - stock Köln
679 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.025 EUR
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